Name: IGC090S20S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND
Price: 4.51858 CHF
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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IGC090S20S1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGC090S20S1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGC090S20S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGC090S20S1XTMA1
Beschreibung	200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC
Standardlieferzeit des Herstellers	9 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 12 A (Ta), 46 A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-6-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Ta), 46 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9mOhm bei 10A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,9V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.5 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±6,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	800 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSON-6-2
Gehäuse / Hülle	6-PowerTDFN