
IMW65R033M2HXKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IMW65R033M2HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW65R033M2HXKSA1 |
Beschreibung | IMW65R033M2HXKSA1 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 23 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 53 A (Tc) 194W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-40 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMW65R033M2HXKSA1 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V, 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 30mOhm bei 27,9A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,6V bei 5,7mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 34 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +23V, -7V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1214 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 194W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO247-3-40 | |
Gehäuse / Hülle |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 8.29000 | Fr. 8.29 |
30 | Fr. 5.86267 | Fr. 175.88 |
120 | Fr. 5.10942 | Fr. 613.13 |
510 | Fr. 4.50261 | Fr. 2’296.33 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 8.29000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 8.96149 |