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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMW65R040M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMW65R040M2HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW65R040M2HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 61 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 46 A (Tc) 172W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-40 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 4,6mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (Max.) +23V, -7V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 997 pF @ 400 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 172W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-40 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 36mOhm bei 22,9A, 20V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 7.40000 | Fr. 7.40 |
| 30 | Fr. 4.33267 | Fr. 129.98 |
| 120 | Fr. 3.65942 | Fr. 439.13 |
| 510 | Fr. 3.16643 | Fr. 1’614.88 |
| 1’020 | Fr. 3.06331 | Fr. 3’124.58 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 7.40000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 7.99940 |
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