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IPA65R225C7XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPA65R225C7XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA65R225C7XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 29W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA65R225C7XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 240µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 996 pF @ 400 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 29W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-FP |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 225mOhm bei 4,8A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | 500 | IPA65R190C7XKSA1-ND | Fr. 2.92000 | Vom Hersteller empfohlen |
| STF18NM60N | STMicroelectronics | 526 | 497-10300-5-ND | Fr. 3.00000 | Ähnlich |
| STFH18N60M2 | STMicroelectronics | 306 | 497-16595-5-ND | Fr. 2.59000 | Ähnlich |
| TK14A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 40 | TK14A65WS5X-ND | Fr. 3.18000 | Ähnlich |
| XP65SL190DI | YAGEO XSEMI | 847 | 5048-XP65SL190DI-ND | Fr. 2.63000 | Ähnlich |












