Name: IQDH45N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 2.96194 CHF
Availability: InStock

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IQDH45N04LM6SCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQDH45N04LM6SCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQDH45N04LM6SCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQDH45N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQDH45N04LM6SCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHSON-8-U02
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQDH45N04LM6SCATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	58A (Ta), 611A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,49mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 1,449mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	78 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12000 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 333W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WHSON-8-U02
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 2.74000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 2.96194

IQDH45N04LM6SCATMA1