Name: IXTP08N100P
Brand: IXYS
SKU: IXTP08N100P-ND
Price: 2.28091 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP08N100P
DigiKey-Teilenr.	IXTP08N100P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP08N100P
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	50 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	800mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	240 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	42W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXTP08

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.11000	Fr. 2.11
50	Fr. 1.14240	Fr. 57.12
100	Fr. 1.11790	Fr. 111.79
500	Fr. 1.02762	Fr. 513.81
1’000	Fr. 0.97894	Fr. 978.94
2’000	Fr. 0.93810	Fr. 1’876.20

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