


IXTY08N100D2 | |
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DigiKey-Teilenr. | 238-IXTY08N100D2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTY08N100D2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 32 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | - | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 21Ohm bei 400mA, 0V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | - | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 325 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-252AA | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 3.73000 | Fr. 3.73 |
70 | Fr. 1.82786 | Fr. 127.95 |
140 | Fr. 1.76257 | Fr. 246.76 |
560 | Fr. 1.58954 | Fr. 890.14 |
1’050 | Fr. 1.44345 | Fr. 1’515.62 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.73000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 4.03213 |