FCP13N60N ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen


onsemi
Vorrätig: 770
Stückpreis : Fr. 3.43000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 288
Stückpreis : Fr. 2.22000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 500
Stückpreis : Fr. 1.94000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 76
Stückpreis : Fr. 1.92000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 148
Stückpreis : Fr. 1.80000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 16’520
Stückpreis : Fr. 2.18000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 994
Stückpreis : Fr. 4.04000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 372
Stückpreis : Fr. 3.56000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 742
Stückpreis : Fr. 1.58000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 270
Stückpreis : Fr. 1.95000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 792
Stückpreis : Fr. 1.89000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 582
Stückpreis : Fr. 1.09000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 674
Stückpreis : Fr. 2.89000
Datenblatt
TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCP13N60N

DigiKey-Teilenr.
FCP13N60NFS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCP13N60N
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 13 A (Tc) 116W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCP13N60N Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
258mOhm bei 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
39.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1765 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
116W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.