MJD32CTF_NBDD002 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Vorrätig: 2’156
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STMicroelectronics
Vorrätig: 3’473
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Direkter Ersatz


STMicroelectronics
Vorrätig: 5’841
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Oberflächenmontage DPAK
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Oberflächenmontage DPAK
TO-252-3

MJD32CTF_NBDD002

DigiKey-Teilenr.
MJD32CTF_NBDD002-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MJD32CTF_NBDD002
Beschreibung
TRANS PNP 100V 3A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
10 bei 3A, 4V
Herst.
Leistung - Max.
1.56 W
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Frequenz - Übergang
3MHz
Status der Komponente
Obsolet
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Transistor-Typ
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,2V bei 375mA, 3A
Basis-Produktnummer
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
50µA
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe