Name: NXH004P120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH004P120M3F2PTHG-ND
Price: 154.07493 CHF
Availability: InStock

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NXH004P120M3F2PTHG
DigiKey-Teilenr.	5556-NXH004P120M3F2PTHG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH004P120M3F2PTHG
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 284A (Tc) 785W (Tc) Chassisbefestigung 36-PIM (56,7x62,8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	284A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,5mOhm bei 200A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 120mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	876nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	16410pF bei 800V
Leistung - Max.	785W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	36-PIM (56,7x62,8)
Basis-Produktnummer	NXH004

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