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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TP65H050G4WS | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1707-TP65H050G4WS-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TP65H050G4WS |
Beschreibung | 650 V 34 A GAN FET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 700µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1000 pF @ 400 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 119W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 60mOhm bei 22A, 10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 8.88000 | Fr. 8.88 |
| 30 | Fr. 5.28200 | Fr. 158.46 |
| 120 | Fr. 4.49258 | Fr. 539.11 |
| 510 | Fr. 3.91457 | Fr. 1’996.43 |
| 1’020 | Fr. 3.89500 | Fr. 3’972.90 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 8.88000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 9.59928 |
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