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R6076MNZ1C9 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
R6076MNZ1C9 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | R6076MNZ1C9-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | R6076MNZ1C9 |
Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 76 A (Tc) 740W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | R6076MNZ1C9 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 1mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 115 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7000 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 740W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 55mOhm bei 38A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (8)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| R6070JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 484 | 846-R6070JNZ4C13-ND | Fr. 14.82000 | Ähnlich |
| RBR3LAM30ATR | Rohm Semiconductor | 1’044 | RBR3LAM30ACT-ND | Fr. 0.52000 | Ähnlich |
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5’072 | 238-IXFH60N65X2-ND | Fr. 10.78000 | Ähnlich |
| IXFX80N60P3 | IXYS | 188 | IXFX80N60P3-ND | Fr. 16.91000 | Ähnlich |
| SIHG47N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 61 | SIHG47N60E-GE3-ND | Fr. 8.71000 | Ähnlich |
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