Neues Produkt
GCMX020A120B2H2P
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GCMX040A120B2H2P

DigiKey-Teilenr.
1560-GCMX040A120B2H2P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GCMX040A120B2H2P
Beschreibung
1200V, 40M SIC MOSFET FULL BRIDG
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 56 A (Tc) 217W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
SemiQ
Serie
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
56 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
52mOhm bei 40A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
115nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3200pF bei 800V
Leistung - Max.
217W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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10Fr. 31.45700Fr. 314.57
100Fr. 29.86000Fr. 2’986.00
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