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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
S2M0080120J | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1655-S2M0080120J-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | S2M0080120J |
Beschreibung | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 37A (Tj) 234W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 100mOhm bei 20A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 10mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 54 nC @ 20 V | |
Vgs (Max.) | +20V, -5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1324 pF @ 1000 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 234W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263-7 | |
Gehäuse / Hülle |
Auf Lager: 203
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 7.24000 | Fr. 7.24 |
| 10 | Fr. 4.95800 | Fr. 49.58 |
| 100 | Fr. 3.66620 | Fr. 366.62 |
| 500 | Fr. 3.23020 | Fr. 1’615.10 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 7.24000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 7.82644 |
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