
S3M0040120K | |
---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1655-S3M0040120K-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | S3M0040120K |
Beschreibung | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4 |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 52mOhm bei 40A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 16mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 143 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +22V, -8V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2844 pF @ 1000 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 130W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247-4 | |
Gehäuse / Hülle |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
---|---|---|
1 | Fr. 8.20000 | Fr. 8.20 |
10 | Fr. 5.65200 | Fr. 56.52 |
300 | Fr. 3.80320 | Fr. 1’140.96 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 8.20000 |
---|---|
Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 8.86420 |