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Datenblatt
N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP12N60M2

DigiKey-Teilenr.
497-16020-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP12N60M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP12N60M2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
538 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
450mOhm bei 4,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT7S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1269-5-NDFr. 0.00000Ähnlich
FCP600N60Zonsemi143FCP600N60ZOS-NDFr. 2.43000Ähnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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50Fr. 0.94480Fr. 47.24
100Fr. 0.84790Fr. 84.79
500Fr. 0.67804Fr. 339.02
1’000Fr. 0.62341Fr. 623.41
2’000Fr. 0.57748Fr. 1’154.96
5’000Fr. 0.52779Fr. 2’638.95
10’000Fr. 0.50392Fr. 5’039.20
Standardverpackung des Herstellers
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