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Datenblatt
N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP13N65M2

DigiKey-Teilenr.
497-15555-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP13N65M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP13N65M2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
590 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
430mOhm bei 5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT7S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1269-5-NDFr. 0.00000Ähnlich
FCP600N60Zonsemi143FCP600N60ZOS-NDFr. 2.43000Ähnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 2.09000Fr. 2.09
50Fr. 1.02400Fr. 51.20
100Fr. 0.92050Fr. 92.05
500Fr. 0.73848Fr. 369.24
1’000Fr. 0.68000Fr. 680.00
2’000Fr. 0.63083Fr. 1’261.66
5’000Fr. 0.57764Fr. 2’888.20
10’000Fr. 0.55845Fr. 5’584.50
Standardverpackung des Herstellers
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