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N-Kanal 600 V 20 A (Ta) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 20 A (Ta) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
TK080A60Z1,S4X

TK125A60Z1,S4X

DigiKey-Teilenr.
264-TK125A60Z1S4X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK125A60Z1,S4X
Beschreibung
N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Ta) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 730µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1620 pF @ 300 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220SIS
Gehäuse / Hülle
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2’000Fr. 1.00088Fr. 2’001.76
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