Name: TK024N60Z1,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK024N60Z1S1F-ND
Price: 13.25306 CHF
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK024N60Z1,S1F
DigiKey-Teilenr.	264-TK024N60Z1S1F-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK024N60Z1,S1F
Beschreibung	N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 80 A (Ta) 506W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSVI
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	24mOhm bei 33A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 3,84mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8420 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	506W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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