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IRFI640GPBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRFI640GPBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRFI640GPBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 31 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 9,8 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRFI640GPBF Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 70 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1300 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 40W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 5,9A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FQPF19N20 | onsemi | 0 | FQPF19N20-ND | Fr. 0.76162 | Ähnlich |
| FQPF19N20C | onsemi | 68 | FQPF19N20C-ND | Fr. 1.82000 | Ähnlich |
| IRF200B211 | Infineon Technologies | 108 | IRF200B211-ND | Fr. 1.74000 | Ähnlich |
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | 0 | 448-IRFI4227PBF-ND | Fr. 0.00000 | Ähnlich |
| IRLS640A | onsemi | 0 | IRLS640AFS-ND | Fr. 0.63524 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.81000 | Fr. 3.81 |
| 50 | Fr. 1.96440 | Fr. 98.22 |
| 100 | Fr. 1.78570 | Fr. 178.57 |
| 500 | Fr. 1.47248 | Fr. 736.24 |
| 1’000 | Fr. 1.37189 | Fr. 1’371.89 |
| 2’000 | Fr. 1.28737 | Fr. 2’574.74 |
| 5’000 | Fr. 1.26490 | Fr. 6’324.50 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.81000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 4.11861 |






