IRFIB5N65APBF Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFIB5N65APBF
DigiKey-Teilenr.	IRFIB5N65APBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRFIB5N65APBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 5,1 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFIB5N65APBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	930mOhm bei 3,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1417 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 Full Pack, isolierte Fahne
Basis-Produktnummer	IRFIB5