SIHP12N60E-GE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Vishay Siliconix
Vorrätig: 886
Stückpreis : Fr. 2.84000
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.18766
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 67
Stückpreis : Fr. 3.19000
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.30643
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 1’602
Stückpreis : Fr. 3.26000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 2’037
Stückpreis : Fr. 3.44000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 2’299
Stückpreis : Fr. 3.22000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 703
Stückpreis : Fr. 3.42000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.21266
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 990
Stückpreis : Fr. 2.95000
Datenblatt
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP12N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP12N60E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP12N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP12N60E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
58 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
937 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (29)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHP12N60E-BE3Vishay Siliconix886742-SIHP12N60E-BE3-NDFr. 2.84000Direkter Ersatz
AOT15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1267-5-NDFr. 1.18766Ähnlich
AOT15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.67785-1511-5-NDFr. 3.19000Ähnlich
AOT20N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1512-5-NDFr. 1.30643Ähnlich
FCP11N60onsemi1’602FCP11N60-NDFr. 3.26000Ähnlich
Auf Lager: 0
Informationen zur Lieferzeit
Bestandsbenachrichtigung anfordern
Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 2.84000Fr. 2.84
50Fr. 1.42440Fr. 71.22
100Fr. 1.28740Fr. 128.74
500Fr. 1.04734Fr. 523.67
1’000Fr. 0.97022Fr. 970.22
2’000Fr. 0.90540Fr. 1’810.80
5’000Fr. 0.84716Fr. 4’235.80
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 2.84000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 3.07004