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SIHP21N65EF-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP21N65EF-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP21N65EF-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 106 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2322 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Ähnlich |
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 266 | 488-FCP190N65S3R0-ND | Fr. 2.17000 | Ähnlich |
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 2’000 | IPP60R170CFD7XKSA1-ND | Fr. 3.17000 | Ähnlich |
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R190E6XKSA1-ND | Fr. 1.33324 | Ähnlich |
| IXFP24N60X | IXYS | 0 | IXFP24N60X-ND | Fr. 2.40673 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.60000 | Fr. 4.60 |
| 10 | Fr. 3.07100 | Fr. 30.71 |
| 100 | Fr. 2.20160 | Fr. 220.16 |
| 500 | Fr. 1.83092 | Fr. 915.46 |
| 1’000 | Fr. 1.71194 | Fr. 1’711.94 |
| 2’000 | Fr. 1.63006 | Fr. 3’260.12 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 4.60000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 4.97260 |







