SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUP53P06-20-E3

DigiKey-Teilenr.
SUP53P06-20-E3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SUP53P06-20-E3
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 60 V 9,2 A (Ta), 53 A (Tc) 3,1W (Ta), 104,2W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SUP53P06-20-E3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
19,5mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,1W (Ta), 104,2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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100Fr. 1.53980Fr. 153.98
500Fr. 1.26418Fr. 632.09
1’000Fr. 1.17564Fr. 1’175.64
2’000Fr. 1.14000Fr. 2’280.00
Standardverpackung des Herstellers
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