VideoLibrary

Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions

Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions.

5/17/2023 1:37:25 PM

Part List

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88TP65H070LSG-TRGANFET N-CH 650V 25A PQFN8811167 - Sofort$11.56Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035G4WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3617 - Sofort$15.19Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-30 - Sofort$17.66Details anzeigen
650 V 95 A GAN FETTP65H015G5WS650 V 95 A GAN FET459 - Sofort$25.80Details anzeigen
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PSGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
650 V 46.5 GAN FETTP65H035G4WSQA650 V 46.5 GAN FET28 - Sofort$16.10Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3TP65H035WSQAGANFET N-CH 650V 47.2A TO247-30 - Sofort$18.58Details anzeigen
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PDGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4BS650 V 34 A GAN FET488 - Sofort$11.50Details anzeigen
EVAL BOARD FOR TP65H050G4WSTDINV3000W050B-KITEVAL BOARD FOR TP65H050G4WS2 - Sofort$652.80Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFNTP65H480G4JSG-TRGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN1131 - Sofort$3.26Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNTP65H300G4LSG-TRGANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
650 V 13 A GAN FETTP65H150G4LSG-TR650 V 13 A GAN FET376 - Sofort$4.66Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LDGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN9 - Sofort$9.39Details anzeigen
GANFET N-CH 900V 15A TO220ABTP90H180PSGANFET N-CH 900V 15A TO220AB0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
650 V 25 A GAN FETTP65H070LDG-TR650 V 25 A GAN FET609 - Sofort$11.56Details anzeigen
EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065ANTDTTP4000W065AN-KITEVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN0 - Sofort$921.60Details anzeigen
EVAL BOARD FOR TP65H035WSTDTTP4000W066C-KITEVAL BOARD FOR TP65H035WS5 - Sofort$1,180.80Details anzeigen
EVAL BOARD FOR TP65H070LTDHB-65H070L-DCEVAL BOARD FOR TP65H070L4 - Sofort$158.14Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3TP65H050WSQAGANFET N-CH 650V 36A TO247-35 - Sofort$15.88Details anzeigen

Related Videos

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis
Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

Datum der Veröffentlichung: 2023-07-21

Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications
Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications

Datum der Veröffentlichung: 2023-07-21

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems
Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

Datum der Veröffentlichung: 2023-07-21

Related Product Highlight

SuperGaN®-Evaluierungsboards und -kits Die SuperGaN® Evaluierungsboards und -kits von Transphorm bieten eine einfach zu bedienende Plattform für die Erforschung der Vorteile von GaN mit verschiedenen Topologien.
SuperGaN®-35mΩ-GaN-FET TP65H035G4WS DerSuperGaN® FET von Transphorm bietet hohe Zuverlässigkeit, hohen Wirkungsgrad in einer leicht ansteuerbaren JEDEC-zugelassen Komponente.
2,5-kW-Totem-Pole-PFC-GaN-Evaluierungsboard TDTTP2500B066B-KIT Das 2,5-kW-Totem-Pole-PFC-GaN-Evaluierungsboard TDTTP2500B066B-KIT (PFC: power factor correction - Leistungsfaktorkorrektur) von Transphorm eignet sich für Anwendungen wie Stromversorgungen in Rechenzentren.

Related Articles and Blogs

Halbleiter mit großer Bandlücke steigern den Wirkungsgrad in Rechenzentren Da Rechenzentren einen enormen Energiebedarf haben, werden Stromversorgungslösungen benötigt, die Leistungsverluste reduzieren, die Effizienz steigern und die thermische Kontrolle verbessern können.
Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Entwerfen Sie eine effektivere Blindleistungskompensation unter Verwendung von Halbleitern mit großer Bandlücke und digitaler Regelung Verwenden Sie digitale Regelung und Leistungshalbleiter mit großer Bandlücke, um Schaltungen für die Blindleistungskompensation zu entwerfen, die die aktuellen Vorschriften effizient erfüllen.

Related Product Training Modules

GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies Overview of GaN versus Silicon Carbide in DC-DC hard switched synchronous boost converter, including a competitive analysis and PFC customer example.