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XClampR®-Überspannungsbegrenzerdioden XFD11K
Datum der Veröffentlichung: 2026-04-22
Die bidirektionalen XClampR®-TVS-Dioden XFD11K von Vishay General Semiconductor – Diodes Division mit Flachklemmung und AEC-Q101-Zulassung sind ideal für den Lastabwurfschutz in Automobilanwendungen.
Die extrem schnellen Gleichrichter FRED Pt® von Vishay im DFN6546A-Gehäuse ermöglichen eine effizientere Nutzung des Leiterplattenplatzes und bieten gleichzeitig ein verbessertes thermisches Verhalten.
Die Leistungsmodule VS-SF50xA120 und VS-SFxx0SA120 von Vishay Semiconductor verfügen über einen SiC-MOSFET und eine integrierte Soft-Recovery-Substratdiode, die eine schnelle Erholung bietet.
Vishay Intertechnology stellt vier 100-V-Gen-2-Trench-MOS-Barrier-Schottky-Gleichrichtermodule (TMBS®) im kompakten, vollständig isolierten SOT-227-Gehäuse vor.
Die MAACPAK-PressFit-Leistungsmodule VS-MPY038P120/VS-MPX075P120 von Vishay Semiconductor erhöhen die Effizienz und Zuverlässigkeit von Mittel- und Hochfrequenzanwendungen.
ESD-Schutzdioden VGSOT* für eine oder zwei Leitungen
Datum der Veröffentlichung: 2025-08-29
Die ESD-Schutzdioden VGSOT* von Vishay für eine oder zwei Leitungen sorgen für eine effizientere Wärmeableitung als Bauteile der vorherigen Generation.
Oberflächenmontierbare PAR®-Überspannungsbegrenzer T15BxxA und T15BxxCA
Datum der Veröffentlichung: 2025-08-18
Die oberflächenmontierbaren PAR-Überspannungsbegrenzer T15BxxA und T15BxxCA von Vishay sparen Platz auf der Leiterplatte und senken gleichzeitig die Kosten in Automobilanwendungen.
Oberflächenmontierbare Standard- und TMBS-Gleichrichter
Datum der Veröffentlichung: 2025-04-17
Die oberflächenmontierbaren Standard- und TMBS-Gleichrichter von Vishay bieten platzsparende, hocheffiziente Lösungen.
Siliziumkarbid-Schottky-Dioden
Datum der Veröffentlichung: 2025-03-26
Die Siliziumkarbid-Schottky-Dioden von Vishay sind ideal für extrem schnelle, harte Schaltvorgänge über einen großen Temperaturbereich.
Siliziumkarbid-Schottky-Sperrschichtdioden VS-SCx
Datum der Veröffentlichung: 2025-02-12
Die Siliziumkarbid-Schottky-Sperrschichtdioden VS-SCx von Vishay werden mit modernster Dünnwafer-Technologie hergestellt.
Information from Vishay on improved thermal performance and efficiency high-current ratings to 9 A.
Vishay's soldering recommendations for power DFN packages.
Information on Vishay's surface-mount TMBS and standard rectifiers.
TMBS®-Gleichrichter V6N3M103-M3/I und V6N3M103HM3/I
Datum der Veröffentlichung: 2024-12-03
Die TMBS®-Gleichrichter V6N3M103-M3/I und V6N3M103HM3/I von Vishay haben ein flaches DFN33A-Gehäuse mit seitlich benetzbaren Flanken.
Siliziumkarbid-Brückenmodule VS-SCx0BA120
Datum der Veröffentlichung: 2024-11-21
Die Siliziumkarbid-Brückenmodule VS-SCx0BA120 von Vishay nutzen die hochentwickelte SiC-Schottky-Diodentechnologie.
1.200-V-Hyperfast-Gleichrichter FRED Pt Gen 7
Datum der Veröffentlichung: 2024-10-31
Die 1.200-V-Hyperfast-Gleichrichter FRED Pt Gen 7 von Vishay bieten eine geringe Sperrschichtkapazität und Erholungszeit.
Verwendung von MPS-SiC-Dioden zur Minimierung von Verlusten in Hochfrequenz-Schaltnetzteilen
Datum der Veröffentlichung: 2024-09-19
SiC mit einem verschmolzenen PIN-Schottky-Design verbessert den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit von Schaltnetzteilen, indem es hohe Strombelastbarkeit bei geringen Verlusten bietet.
ESD-Schutzdioden der Serie VETH100A1DD1
Datum der Veröffentlichung: 2024-08-28
Die ESD-Schutzdioden der Serie VETH100A1DD1 von Vishay entsprechen den 100Base-T1- und 1000Base-T1-Spezifikationen der OPEN Alliance.
1.200-V-SiC-Schottky-Dioden der Generation 3
Datum der Veröffentlichung: 2024-06-27
Die 1.200-V-SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 von Vishay weisen einen geringeren Durchlassspannungsabfall, kapazitive Ladung und Sperrstrom auf.
Siliziumkarbid-Schottky-Sperrschichtdioden
Datum der Veröffentlichung: 2024-04-22
Die Siliziumkarbid-Schottky-Trägerdioden von Vishay weisen praktisch keine Erholungsschwäche und keine Schaltverluste auf.
