Zukunftsorientiertes Denken treibt die Entwicklung der Energieinfrastruktur voran – onsemi

onsemi nutzt die jahrzehntelange Erfahrung mit innovativen Technologien und zuverlässigen, hocheffizienten und qualitativ hochwertigen Leistungshalbleitern der nächsten Generation, um die Entwicklungszeit zu verkürzen und gleichzeitig Budgets für Leistungsdichte und Verlustleistung zu schlagen. onsemi verhilft Herstellern und ihren Produktionsteams zu dem guten Gefühl, zu einer besseren Welt beigetragen zu haben.

  • Ladestationen für Elektrofahrzeuge
  • Energiespeicherung/USV
  • Solarwechselrichter
  • SiC-MOSFETs
  • SiC-Dioden
  • SiC-Treiber
  • Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule
  • IGBT
  • Galvanisch getrennte Gate-Treiber
  • Strommessverstärker
  • Operationsverstärker: Spannungs- und Stromsensorik
  • Spannungsregelung (LDO)
  • AC/DC-, DC/DC-
    Regler/Wandler

SiC-MOSFETs

650-V-SiC-MOSFET von onsemi

650-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

Merkmale/Funktionen

  • Niedriger Durchlasswiderstand
  • Hohe Sperrschichttemperatur
  • 100 % UIL-getestet
  • RoHS-konform
  • Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
  • Nennspannung von 650 V
  • AEC-Q101-Varianten erhältlich

Anwendungen/Zielmärkte

  • DC/DC-Wandler
  • Aufwärts-Wechselrichter
  • DC/DC-Wandler für die Automobilindustrie
  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC) für die Automobilindustrie

Endprodukte

  • USV
  • Solartechnik
  • Stromversorgung
  • Kfz-Bordladegeräte
  • Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)

650-V-SiC-MOSFETs

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG015N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTBG045N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTH4L015N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTH4L045N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTH4L015N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
900-V-SiC-MOSFETs von onsemi

900-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

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Merkmale/Funktionen

  • Nennspannung von 900 V
  • Niedriger Durchlasswiderstand
  • Kompakte Chipgröße gewährleistet niedrige Kapazität und Gate-Ladung
  • Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
  • 100 % UIL-getestet
  • Automobilzulassung nach AEC-Q101

Anwendungen/Zielmärkte

  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Bordladegeräte
  • Aufwärts-Wechselrichter
  • Solar-Ladegeräte
  • Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)
  • Bordladegeräte für die Automobilindustrie
  • Kfz-Hilfsmotorantriebe
  • Netzwerkstromversorgungen
  • Server-Stromversorgungen

900-V-SiC-MOSFETs

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG020N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 9,8 A/112 A, D2PAK Details anzeigen
NTHL020N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 118 A, TO247-3 Details anzeigen
NTHL060N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 46 A, TO247-3 Details anzeigen
NVBG020N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 9,8 A/112 A, D2PAK Details anzeigen
NVHL020N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 118 A, TO247-3 Details anzeigen

1200-V-SiC-MOSFET von onsemi

1200-V-SiC-MOSFETs M3S

Die planaren 1200-V-SiC-MOSFETs der Familie M3S von onsemi sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie bietet den zuverlässigen Betrieb mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spannungsspitzen am Gate aus. Die Familie bietet optimale Leistung, wenn sie mit 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, eignet sich aber auch gut für eine 15-V-Gate-Ansteuerung.

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Merkmale/Funktionen

  • TO247-4LD-Gehäuse für niedrige gemeinsame Source-Induktivität
  • 15-V- bis 18-V-Gate-Ansteuerung
  • Neue M3S-Technologie: RDS(ON) von 22 mOhm mit geringen EON- und EOFF-Verlusten
  • 100 % Avalanche-getestet

Vorteile

  • Geringere EON-Verluste
  • 18 V für beste Leistung; 15 V für Kompatibilität mit IGBT-Treiberschaltungen
  • Verbesserte Leistungsdichte
  • Verbesserte Robustheit gegenüber unerwarteten Spannungsspitzen oder Klingeln

Anwendungen/Zielmärkte

  • AC/DC-Wandlung
  • DC/AC-Wandlung
  • DC/DC-Wandlung

Endprodukte

  • USV
  • Laden von Elektrofahrzeugen
  • Solarwechselrichter
  • Energiespeichersysteme

1200-V-SiC-MOSFETs

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NTHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NVHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NTHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44A, TO247-3 Details anzeigen
NVBG020N120SC1 MOSFET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NVHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44A, TO247-3 Details anzeigen

SiC-Dioden

650-V-SiC-Diode

650-V-SiC-Dioden

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Rückwärtserholungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und ein hervorragendes thermisches Verhalten machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

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Merkmale/Funktionen

  • Leicht parallel zu schalten
  • Hohe Stoßstrombelastbarkeit
  • Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C
  • Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
  • Höhere Schaltfrequenz
  • Niedrige Durchlassspannung (VF)
  • Positiver Temperaturkoeffizient
  • AEC-Q101-konform und PPAP-tauglich

Vorteile

  • DC/DC-Wandler für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Bordladegeräte für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Industrielle Stromversorgung
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Solartechnik
  • USV
  • Schweißtechnik

650-V-SiC-Dioden

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
FFSB0665B SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 6 A Details anzeigen
FFSB0865B SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 8 A Details anzeigen
FFSP08120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 8 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSP10120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 10 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSP15120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 15 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSH20120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 30 A, TO247-2 Details anzeigen
FFSP3065A SCHOTTKY-DIODE, 650 V, 30 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSM0665A SIC-SCHOTTKY-DIODE , 650 V, 6 A Details anzeigen
FFSD1065A SIC-SCHOTTKY-DIODE, 650 V, 10 A Details anzeigen
FFSB1065B-F085 SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 10 A Details anzeigen
FFSB2065B-F085 SIC-DIODE, 650 V Details anzeigen
FFSM1265A SIC-SCHOTTKY-DIODE, 650 V, 12 A Details anzeigen
FFSD08120A SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 8 A Details anzeigen
FFSD10120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, TO252 Details anzeigen
FFSD1065B-F085 SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 10 A Details anzeigen
FFSB3065B-F085 SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 30 A Details anzeigen
FFSB10120A-F085 KFZ-SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 10 A Details anzeigen
FFSB20120A-F085 KFZ-SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 20 A Details anzeigen
FFSP05120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, TO220-2 Details anzeigen
FFSP20120A SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 20 A, TO220-2L Details anzeigen

1200-V-SiC-Diode

1200-V-SiC-Dioden

Die 1200-V-SiC-MOSFETs von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI und reduzierte Systemgrößen.

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Merkmale/Funktionen

  • Nennspannung von 1200 V
  • Niedriger Durchlasswiderstand
  • Kompakte Chipgröße gewährleistet niedrige Kapazität und Gate-Ladung
  • Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
  • 100 % UIL-getestet
  • Automobilzulassung nach AEC-Q101

Anwendungen/Zielmärkte

  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Bordladegeräte
  • Aufwärts-Wechselrichter
  • Solar-Ladegeräte
  • Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)
  • Bordladegeräte für die Automobilindustrie
  • Kfz-Hilfsmotorantriebe
  • Solarwechselrichter
  • Netzwerkstromversorgungen
  • Server-Stromversorgungen

1200-V-SiC-Dioden

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NTHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NVHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NTHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 Details anzeigen
NVBG020N120SC1 MOSFET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NVHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 Details anzeigen

1700-V-SiC-Diode

1700-V-SiC-Dioden

Die 1700-V-Siliziumkarbid-(SiC-)Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und eine hervorragende thermische Performance machen Siliziumkarbid zum Leistungshalbleiter der nächsten Generation. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

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Merkmale/Funktionen

  • Leicht parallel zu schalten
  • Hohe Stoßstrombelastbarkeit
  • Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C
  • Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
  • Höhere Schaltfrequenz
  • Niedrige Durchlassspannung (VF)
  • Positiver Temperaturkoeffizient
  • AEC-Q101-konform und PPAP-tauglich

Anwendungen/Zielmärkte

  • DC/DC-Wandler für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Bordladegeräte für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Industrielle Stromversorgung
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Solartechnik
  • USV
  • Schweißtechnik

1700-V-SiC-Dioden

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NDSH25170A SIC-JBS, 1700 V, 25 A, TO247 Details anzeigen

SiC-Treiber

SiC-Treiber

SiC-Treiber

Der schnelle einkanalige 6-A-Low-Side-Treiber NCx51705 von onsemi ist in erster Linie für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs konzipiert. Um möglichst geringe Leitungsverluste zu erzielen, kann der Treiber die maximal zulässige Gate-Spannung an das SiC-MOSFET-Bauelement liefern. Durch die Bereitstellung eines hohen Spitzenstroms während des Ein- und Ausschaltens werden auch die Schaltverluste minimiert. Für eine verbesserte Zuverlässigkeit, dV/dT-Immunität und ein noch schnelleres Ausschalten kann der NCx51705 mit seiner integrierten Ladungspumpe eine vom Benutzer wählbare negative Spannungsschiene erzeugen. Für isolierte Anwendungen bietet der NCx51705 auch eine von außen zugängliche 5-V-Schiene zur Versorgung der Sekundärseite von digitalen oder Hochgeschwindigkeits-Optoisolatoren.

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Merkmale/Funktionen

  • Hoher Spitzenausgangsstrom mit geteilten Ausgangsstufen
  • Erweiterte positive Nennspannung von maximal 28 V
  • Integrierte einstellbare negative Ladungspumpe (-3,3 V bis -8 V)
  • Zugängliche 5-V-Referenz-/Vorspannungsschiene
  • Einstellbare Unterspannungssperre
  • Funktion zur schnellen Entsättigung
  • QFN24-Gehäuse, 4 mm x 4 mm
  • Ermöglicht unabhängige Ein/Aus-Anpassung
  • Effizienter SiC-MOSFET-Betrieb während der Leitungsperiode
  • Schnelles Ausschalten und robuste dV/dT-Immunität
  • Minimierung der Komplexität der Vorspannungsversorgung in Anwendungen mit isoliertem Gate-Treiber
  • Ausreichende VGS-Amplitude für optimale SiC-Performance
  • Selbstschutz des Designs
  • Kleines Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität

Anwendungen/Zielmärkte

  • Hochleistungswechselrichter
  • Hochleistungsmotortreiber
  • Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur
  • Industrie- und Motortreiber
  • USV und Solar-Wechselrichter
  • Hochleistungs-Gleichstromladegeräte

SiC-Treiber

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCP51705MNTXG GATE-TREIBER-IC, LOW-SIDE, 24QFN Details anzeigen
NCV51705MNTWG GATE-TREIBER-IC, LOW-SIDE, 24QFN Details anzeigen

Isolierter Hochstrom-Gate-Treiber

Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nicht invertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

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Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCD57000DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCD57001DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCV57001DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen
NCV57000DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen

Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule

SiC-Hybrid-Module

Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule

Merkmale/Funktionen

  1. Optimiert für überlegene Performance
  2. Geringerer Wärmewiderstand als diskrete Bauelemente
  3. Leicht zu montierende Gehäuse mit branchenüblichen Pinbelegungen

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NXH006P120MNF2PTG SiC-Module, Halbbrücke 2PAK 1200 V, 6-mOhm-SiC-MOSFET, F2-Gehäuse Details anzeigen

IGBT

IGBT

IGBT

Die IGBT von onsemi bieten optimale Leistung durch den Ausgleich von VCE(sat)- und Eoff-Verlusten und kontrollierbarem Vce-Überschwingen beim Abschalten. Außerdem zeichnen sie sich durch maximale Zuverlässigkeit und Leistung aufgrund eines positiven Temperaturkoeffizienten, eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)), sehr geringe Schalt- und Leitungsverluste sowie schnelles Schalten aus. Sie eignen sich gut für leistungsstarke Energiewandlungsanwendungen und sind für Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt und zugelassen.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
FGHL75T65MQD IGBT – FS4-IGBT, 650 V, 75 A, mittlere Schaltgeschwindigkeit Details anzeigen
FGY75T95SQDT IGBT – Feldstopp-Trench-IGBT, 950 V, 75 A Details anzeigen
FGY60T120SQDN IGBT, Ultra-Feldstopp – 1200 V, 60A Details anzeigen

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nicht invertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCD57000DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCD57001DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCV57001DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen
NCV57000DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen

Strommessverstärker

Strommessverstärker

Strommessverstärker

Strommessverstärker liefern wichtige Informationen, die durch die Überwachung des Stromverbrauchs die Sicherheits- und Diagnosefunktionen eines Systems unterstützen können. Sie enthalten externe Widerstände für eine höhere Genauigkeit und eine kleinere Grundfläche, um eigenständige Operationsverstärker zu unterstützen.

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Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCS2002SN1T1G GP-OV-IC, 1 SCHALTKREIS, 6TSOP Details anzeigen
NCS2002SN2T1G GP-OV-IC, 1 SCHALTKREIS, 6TSOP Details anzeigen
NCS2004SQ3T2G GP-OV-IC, 1 SCHALTKREIS, SC88A Details anzeigen
NCS211RMUTAG STROMMESS-IC, 1 SCHALTKREIS, 10UQFN Details anzeigen
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STR-CURRENT-SENSE-GEVB EVALUIERUNG VON STROMMESSVERSTÄRKERN Details anzeigen
SECO-1KW-MDK-GEVK ENTWICKLUNG INDUSTRIELLER MOTOREN, 1 KW, 600 V Details anzeigen
NCS2200AGEVB EVALUIERUNGSBOARD NCS2200A COMP UDFN6 Details anzeigen
NCS2220AGEVB EVALUIERUNGSBOARD für NCS2220A UDFN6 Details anzeigen

Operationsverstärker: Spannungs- und Stromsensorik

Strommessverstärker

Operationsverstärker: Spannungs- und Stromsensorik

Die CMOS-Verstärker bieten den Rail-zu-Rail-Betrieb, der einen größeren Dynamikbereich erlaubt. Unterschiedliche Systemanforderungen und ein Bereich von 270 kHz bis 10 MHz bieten Systementwicklern Flexibilität bei der Verstärkerauswahl. Sie sind auch in verschiedenen platzsparenden Gehäusen erhältlich, die sowohl den Leistungs- als auch den Platzanforderungen moderner Systemdesigns gerecht werden.

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Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCS20166SN2T1G GP-OV-IC, 1 SCHALTKR., SC74A Details anzeigen
NCV20062DR2G GP-OV-IC, 2 SCHALTKR., 8SOIC Details anzeigen
NCS2333MUTBG OV-IC, DRIFTFREI, 2 SCHALTKR., 8UDFN Details anzeigen

Spannungsregler (LDO)

Spannungsregler

Spannungsregler (LDO)

Linearregler (LDO) bieten eine optimale Lösung für die Anforderungen an ein stromsparendes, platzbewusstes und rauscharmes Design. Dank des einfachen Designs und der wenigen externen Komponenten lassen sie sich leicht in das Endprodukt integrieren. Dieses breite Sortiment zeichnet sich durch ein hohes PSRR, geringes Rauschen, einen niedrigen Ruhestrom (Iq), eine niedrige Abfallspannung und einen großen Eingangsspannungsbereich aus. Als Marktführer bietet onsemi Teile an, die mit einem robusten Design und einer hochwertigen Fertigung die beste Leistung für die Industrie bieten. Die Gehäuseoptionen reichen von der kleinsten Größe in der Branche bis hin zu Gehäusen für höhere Leistungen, die eine ideale Lösung für Automobil-, Industrie- und Verbraucheranwendungen darstellen.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCP164 300-mA-LDO-Regler, ultra-rauscharm, hohes PSRR mit Power Good Details anzeigen
NCP715 LDO-Regler, 50 mA, ultra-niedriger Iq Details anzeigen
NCP730 LDO-Regler, 150 mA, 38 V, 1 uA IQ, mit PG Details anzeigen

AC/DC-, DC/DC-Regler/Wandler

AC/DC-, DC/DC-Regler/Wandler

AC/DC- und DC/DC-Regler/Wandler

onsemi verfügt über ein umfassendes Portfolio an Offline-AC/DC- und DC/DC-Wandlern und -Reglern sowie Reglern mit Leistungsfaktorkorrektur und sekundärseitigen Reglern, die einen hohen Wirkungsgrad im aktiven Modus, einen niedrigen Verbrauch im Standby-Modus und eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.

Merkmale/Funktionen

  1. Offline-Schaltregler, einschließlich PWM-Sperr-/Durchlassreglern mit fester Frequenz sowie strom- und spannungsgesteuerten Reglern.
  2. Offline-Schaltregler, einschließlich strom- und spannungsgesteuerter Gate-Oszillatoren.
  3. Leistungsfaktorregler mit variablem Betrieb an der Leitungsgrenze (CRM), Dauerleitbetrieb (CCM) und lückendem Betrieb (DCM), die eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.
  4. Sekundärseitiger Regler für Synchrongleichrichtung.
  5. Strom- und spannungsgesteuerte DC/DC-Regler für DC/DC-Leistungswandlungsschaltungen.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCP10670 OFFLINE-SCHALT-IC, VERSCHIEDENE TOPOLOGIEN, 8SOIC Details anzeigen
FSL336 OFFLINE-SCHALT-IC, VERSCHIEDENE TOPOLOGIEN, 7DIP Details anzeigen
FSL337 OFFLINE-SCHALT-IC, VERSCHIEDENE TOPOLOGIEN, 7DIP Details anzeigen
FSL518A/H OFFLINE-SCHALT-IC, SPERRTOPOLOGIE, 7DIP Details anzeigen
FSL538A/H OFFLINE-SCHALT-IC, SPERRTOPOLOGIE, 7DIP Details anzeigen
  • SiC-MOSFETs
  • SiC-Dioden
  • SiC-Treiber
  • Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule
  • FS4-IGBTs, 650 V
  • Galvanisch getrennte Gate-Treiber
  • AC/DC-, DC/DC-
    Regler/Wandler
  • Kommunikation
  • Bauteile für das Wärmemanagement

SiC-MOSFETs

650-V-SiC-MOSFET von onsemi

650-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

Merkmale/Funktionen

  • Niedriger Durchlasswiderstand
  • Hohe Sperrschichttemperatur
  • 100 % UIL-getestet
  • RoHS-konform
  • Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
  • Nennspannung von 650 V
  • AEC-Q101-Varianten erhältlich

Anwendungen/Zielmärkte

  • DC/DC-Wandler
  • Aufwärts-Wechselrichter
  • DC/DC-Wandler für die Automobilindustrie
  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC) für die Automobilindustrie

Endprodukte

  • USV
  • Solartechnik
  • Stromversorgung
  • Kfz-Bordladegeräte
  • Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)

650-V-SiC-MOSFETs

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG015N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTBG045N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTH4L015N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTH4L045N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTH4L015N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
900-V-SiC-MOSFETs von onsemi

900-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

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Merkmale/Funktionen

  • Nennspannung von 900 V
  • Niedriger Durchlasswiderstand
  • Kompakte Chipgröße gewährleistet niedrige Kapazität und Gate-Ladung
  • Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
  • 100 % UIL-getestet
  • Automobilzulassung nach AEC-Q101

Anwendungen/Zielmärkte

  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Bordladegeräte
  • Aufwärts-Wechselrichter
  • Solar-Ladegeräte
  • Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)
  • Bordladegeräte für die Automobilindustrie
  • Kfz-Hilfsmotorantriebe
  • Netzwerkstromversorgungen
  • Server-Stromversorgungen

900-V-SiC-MOSFETs

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG020N090SC1 SIC-FET, N-kANAL, 900 V, 9,8 A/112 A, D2PAK Details anzeigen
NTHL020N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 118 A, TO247-3 Details anzeigen
NTHL060N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 46 A, TO247-3 Details anzeigen
NVBG020N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 9,8 A/112 A, D2PAK Details anzeigen
NVHL020N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 118 A, TO247-3 Details anzeigen

1200-V-SiC-MOSFET von onsemi

1200-V-SiC-MOSFETs M3S

Die planaren 1200-V-SiC-MOSFETs der Familie M3S von onsemi sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie bietet den zuverlässigen Betrieb mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spannungsspitzen am Gate aus. Die Familie bietet optimale Leistung, wenn sie mit 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, eignet sich aber auch gut für eine 15-V-Gate-Ansteuerung.

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Merkmale/Funktionen

  • TO247-4LD-Gehäuse für niedrige gemeinsame Source-Induktivität
  • 15-V- bis 18-V-Gate-Ansteuerung
  • Neue M3S-Technologie: 22 mOhm RDS(ON) mit geringen EON- Und EOFF-verlusten
  • 100 % Avalanche-getestet

Vorteile

  • Geringere EON-Verluste
  • 18 V für beste Leistung; 15 V für Kompatibilität mit IGBT-Treiberschaltungen
  • Verbesserte Leistungsdichte
  • Verbesserte Robustheit gegenüber unerwarteten Spannungsspitzen oder Klingeln

Anwendungen/Zielmärkte

  • AC/DC-Wandlung
  • DC/AC-Wandlung
  • DC/DC-Wandlung

Endprodukte

  • USV
  • Laden von Elektrofahrzeugen
  • Solarwechselrichter
  • Energiespeichersysteme

1200-V-SiC-MOSFETs

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NTHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NVHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NTHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 Details anzeigen
NVBG020N120SC1 MOSFET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NVHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 Details anzeigen

SiC-Dioden

650-V-SiC-Diode

650-V-SiC-Dioden

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Rückwärtserholungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und ein hervorragendes thermisches Verhalten machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

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Merkmale/Funktionen

  • Leicht parallel zu schalten
  • Hohe Stoßstrombelastbarkeit
  • Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C
  • Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
  • Höhere Schaltfrequenz
  • Niedrige Durchlassspannung (VF)
  • Positiver Temperaturkoeffizient
  • AEC-Q101-konform und PPAP-tauglich

Vorteile

  • DC/DC-Wandler für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Bordladegeräte für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Industrielle Stromversorgung
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Solartechnik
  • USV
  • Schweißtechnik

650-V-SiC-Dioden

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
FFSB0665B SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 6 A Details anzeigen
FFSB0865B SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, ( A Details anzeigen
FFSP08120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 8 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSP10120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 10 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSP15120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 15 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSH20120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 30 A, TO247-2 Details anzeigen
FFSP3065A SCHOTTKY-DIODE, 650 V, 30 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSM0665A SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 6 A Details anzeigen
FFSD1065A SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 10 A Details anzeigen
FFSB1065B-F085 SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 10 A Details anzeigen
FFSB2065B-F085 SIC-DIODE, 650 V Details anzeigen
FFSM1265A SIC-SCHOTTKY-DIODE, 650 V, 12 A Details anzeigen
FFSD08120A SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 8 A Details anzeigen
FFSD10120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, TO252 Details anzeigen
FFSD1065B-F085 SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 10 A Details anzeigen
FFSB3065B-F085 SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 30 A Details anzeigen
FFSB10120A-F085 KFZ-SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 10 A Details anzeigen
FFSB20120A-F085 KFZ-SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 20 A Details anzeigen
FFSP05120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, TO220-2 Details anzeigen
FFSP20120A SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 20 A, TO220-2L Details anzeigen

1200-V-SiC-Diode

1200-V-SiC-Dioden

Die 1200-V-SiC-MOSFETs von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen.

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Merkmale/Funktionen

  • Nennspannung von 1200 V
  • Niedriger Durchlasswiderstand
  • Kompakte Chipgröße gewährleistet niedrige Kapazität und Gate-Ladung
  • Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
  • 100 % UIL-getestet
  • Automobilzulassung nach AEC-Q101

Anwendungen/Zielmärkte

  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Bordladegeräte
  • Aufwärts-Wechselrichter
  • Solar-Ladegeräte
  • Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)
  • Bordladegeräte für die Automobilindustrie
  • Kfz-Hilfsmotorantriebe
  • Solarwechselrichter
  • Netzwerkstromversorgungen
  • Server-Stromversorgungen

1200-V-SiC-Dioden

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NTHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NVHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NTHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 Details anzeigen
NVBG020N120SC1 MOSFET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NVHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 Details anzeigen

1700-V-SiC-Diode

1700-V-SiC-Dioden

Die 1700-V-Siliziumkarbid-(SiC-)Schottky-Dioden von ON Semiconductor nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und eine hervorragende thermische Performance machen Siliziumkarbid zum Leistungshalbleiter der nächsten Generation. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

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Merkmale/Funktionen

  • Leicht parallel zu schalten
  • Hohe Stoßstrombelastbarkeit
  • Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C
  • Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
  • Höhere Schaltfrequenz
  • Niedrige Durchlassspannung (VF)
  • Positiver Temperaturkoeffizient
  • AEC-Q101-konform und PPAP-tauglich

Anwendungen/Zielmärkte

  • DC/DC-Wandler für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Bordladegeräte für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Industrielle Stromversorgung
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Solartechnik
  • USV
  • Schweißtechnik

1700-V-SiC-Dioden

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NDSH25170A SIC-JUNCTION-BARRIER-SCHOTTKY-DIODE, 1700 V, 25 A, TO247 Details anzeigen

SiC-Treiber

SiC-Treiber

SiC-Treiber

Der schnelle einkanalige 6-A-Low-Side-Treiber NCx51705 von onsemi ist in erster Linie für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs konzipiert. Um möglichst geringe Leitungsverluste zu erzielen, kann der Treiber die maximal zulässige Gate-Spannung an das SiC-MOSFET-Bauelement liefern. Durch die Bereitstellung eines hohen Spitzenstroms während des Ein- und Ausschaltens werden auch die Schaltverluste minimiert. Für eine verbesserte Zuverlässigkeit, dV/dT-Immunität und ein noch schnelleres Ausschalten kann der NCx51705 mit seiner integrierten Ladungspumpe eine vom Benutzer wählbare negative Spannungsschiene erzeugen. Für isolierte Anwendungen bietet der NCx51705 auch eine von außen zugängliche 5-V-Schiene zur Versorgung der Sekundärseite von digitalen oder Hochgeschwindigkeits-Optoisolatoren.

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Merkmale/Funktionen

  • Hoher Spitzenausgangsstrom mit geteilten Ausgangsstufen
  • Erweiterte positive Nennspannung von maximal 28 V
  • Integrierte einstellbare negative Ladungspumpe (-3,3 V bis -8 V)
  • Zugängliche 5-V-Referenz-/Vorspannungsschiene
  • Einstellbare Unterspannungssperre
  • Funktion zur schnellen Entsättigung
  • QFN24-Gehäuse, 4 mm x 4 mm
  • Ermöglicht unabhängige Ein/Aus-Anpassung
  • Effizienter SiC-MOSFET-Betrieb während der Leitungsperiode
  • Schnelles Ausschalten und robuste dV/dT-Immunität
  • Minimierung der Komplexität der Vorspannungsversorgung in Anwendungen mit isoliertem Gate-Treiber
  • Ausreichende VGS-Amplitude für optimale SiC-Leistung
  • Selbstschutz des Designs
  • Kleines Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität

Anwendungen/Zielmärkte

  • Hochleistungswechselrichter
  • Hochleistungsmotor-Treiber
  • Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur
  • Industrie und Motorantriebe
  • USV und Solar-Wechselrichter
  • Hochleistungs-Gleichstromladegeräte

SiC-Treiber

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCP51705MNTXG GATE-TREIBER-IC, LOW-SIDE, 24QFN Details anzeigen
NCV51705MNTWG GATE-TREIBER-IC, LOW-SIDE, 24QFN Details anzeigen

Isolierter Hochstrom-Gate-Treiber

Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nicht invertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

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Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCD57000DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCD57001DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCV57001DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen
NCV57000DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen

Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule

SiC-Hybrid-Module

Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule

Merkmale/Funktionen

  • Optimiert für überlegene Performance
  • Geringerer Wärmewiderstand als diskrete Bauelemente
  • Leicht zu montierende Gehäuse mit branchenüblichen Pinbelegungen
Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NXH100B120H3Q0PTG Integriertes Leistungsmodul, zweifach aufwärts, IGBT 1200 V, 50 A plus Diode 1200 V, 20 A Details anzeigen
NXH80B120MNQ0SNG Integriertes Leistungsmodul, Zwei Kanäle, Voll-SiC, Aufwärts, MOSFET, 1200 V, 80 A plus SiC-Diode, 1200V, 20 A Details anzeigen

FS4-IGBT, 650 V

IGBT

FS4-IGBT, 650 V

Die IGBT von onsemi bieten optimale Leistung durch den Ausgleich von VCE(sat)- und Eoff-Verlusten und kontrollierbarem Vce-Überschwingen beim Abschalten. Außerdem zeichnen sie sich durch maximale Zuverlässigkeit und Leistung aufgrund eines positiven Temperaturkoeffizienten, eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)), sehr geringe Schalt- und Leitungsverluste sowie schnelles Schalten aus. Sie eignen sich gut für leistungsstarke Energiewandlungsanwendungen und sind für Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt und zugelassen.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
FGH40T65SQD-F155 FS4-IGBT Details anzeigen
NGTB25N120FL3WG Ultra-Feldstopp-IGBT – 1200 V, 25 A Details anzeigen
NGTB40N120S3WG IGBT, 1200 V, 40 A, niedrige VF, FSIII Details anzeigen

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nichtinvertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCD57000DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCD57001DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCV57001DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen
NCV57000DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen

AC/DC-, DC/DC-Regler/Wandler

AC/DC-, DC/DC-Regler/Wandler

AC/DC- und DC/DC-Regler/Wandler

onsemi verfügt über ein umfassendes Portfolio an Offline-AC/DC- und DC/DC-Wandlern und -Reglern sowie Reglern mit Leistungsfaktorkorrektur und sekundärseitigen Reglern, die einen hohen Wirkungsgrad im aktiven Modus, einen niedrigen Verbrauch im Standby-Modus und eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.

Merkmale/Funktionen

  1. Offline-Schaltregler, einschließlich PWM-Sperr-/Durchlassreglern mit fester Frequenz sowie strom- und spannungsgesteuerten Reglern.
  2. Offline-Schaltregler, einschließlich strom- und spannungsgesteuerter Gate-Oszillatoren.
  3. Leistungsfaktorregler mit variablem Betrieb an der Leitungsgrenze (CRM), Dauerleitbetrieb (CCM) und lückendem Betrieb (DCM), die eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.
  4. Sekundärseitiger Regler für Synchrongleichrichtung.
  5. Strom- und spannungsgesteuerte DC/DC-Regler für DC/DC-Leistungswandlungsschaltungen.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCP10670 OFFLINE-SCHALT-IC, VERSCHIEDENE TOPOLOGIEN, 8SOIC Details anzeigen
FSL336 OFFLINE-SCHALT-IC, VERSCHIEDENE TOPOLOGIEN, 7DIP Details anzeigen
FSL337 OFFLINE-SCHALT-IC, VERSCHIEDENE TOPOLOGIEN, 7DIP Details anzeigen
FSL518A/H OFFLINE-SCHALT-IC, SPERRTOPOLOGIE, 7DIP Details anzeigen
FSL538A/H OFFLINE-SCHALT-IC, SPERRTOPOLOGIE, 7DIP Details anzeigen

Kommunikation

CAN

CAN

Die drahtgebundenen Transceiver von onsemi eignen sich ideal für die Vernetzung im Fahrzeug, die industrielle Vernetzung, dezentrale Türelektroniken, Karosseriesteuergeräte, Haus-, Gebäude- und Prozessautomatisierung, Umweltüberwachung und Smart-Energy-Anwendungen. Das Portfolio umfasst auch AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen, die speziell für Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt und qualifiziert wurden.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCV7349 CAN-Transceiver, Hochgeschwindigkeit, geringe Leistungsaufnahme Details anzeigen
NCV7351 CAN/CAN-FD-Transceiver, Hochgeschwindigkeit, geringe Leistungsaufnahme Details anzeigen
NCV7357 CAN-FD-Transceiver, Hochgeschwindigkeit Details anzeigen
NCV7343 CAN-FD-Transceiver, Hochgeschwindigkeit, geringe Leistungsaufnahme Details anzeigen
NCV7344 CAN-FD-Transceiver, Hochgeschwindigkeit, geringe Leistungsaufnahme Details anzeigen
BLE

BLE

Mit der drahtlosen Bluetooth® Low Energy-Konnektivität erfüllt der RSL15 die wachsende Nachfrage nach Sicherheit bei vernetzten industriellen Anwendungen, ohne dabei die Energiesparsamkeit zu beeinträchtigen.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
RSL10 Funk-SoC, Bluetooth®-5-zertifiziert, SDK 3.5 / SIP Details anzeigen
RSL15 Sichere Bluetooth®-5.2-Drahtlos-MCU Details anzeigen

Bauteile für das Wärmemanagement

Bauteile für das Wärmemanagement

Bauteile für das Wärmemanagement

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
LV8324C 24-V-Einphasen-BLDC-Motorantrieb (Gebläse) Details anzeigen
NCT375 Temperatursensor (mit I2C) Details anzeigen
NCP1340 Primärer sekundärseitiger Controller Details anzeigen
NCP4306 Primärer sekundärseitiger Controller Details anzeigen
  • SiC-MOSFETs
  • SiC-Dioden
  • SiC-Treiber
  • Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule
  • Kommunikation
  • Galvanisch getrennte Gate-Treiber
  • Digital-Isolatoren
  • AC/DC - DC/DC-Regler
  • AC/DC - DC/DC-Regler
  • DC/DC-Wandler

SiC-MOSFETs

650-V-SiC-MOSFET von onsemi

650-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

Merkmale/Funktionen

  • Niedriger Durchlasswiderstand
  • Hohe Sperrschichttemperatur
  • 100 % UIL-getestet
  • RoHS-konform
  • Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
  • Nennspannung von 650 V
  • AEC-Q101-Varianten erhältlich

Anwendungen/Zielmärkte

  • DC/DC-Wandler
  • Aufwärts-Wechselrichter
  • DC/DC-Wandler für die Automobilindustrie
  • Leistungsfaktorkorrektur für die Automobilindustrie

Endprodukte

  • USV
  • Solartechnik
  • Stromversorgung
  • Kfz-Bordladegeräte
  • Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)

650-V-SiC-MOSFETs

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG015N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTBG045N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTH4L015N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTH4L045N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
NTH4L015N065SC1 SILIZIUMKARBID-MOSFET, N-KANAL Details anzeigen
900-V-SiC-MOSFETs von onsemi

900-V-SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

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Merkmale/Funktionen

  • Nennspannung von 900 V
  • Niedriger Durchlasswiderstand
  • Kompakte Chipgröße gewährleistet niedrige Kapazität und Gate-Ladung
  • Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
  • 100 % UIL-getestet
  • Automobilzulassung nach AEC-Q101

Anwendungen/Zielmärkte

  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Bordladegeräte
  • Aufwärts-Wechselrichter
  • Solar-Ladegeräte
  • Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)
  • Bordladegeräte für die Automobilindustrie
  • Kfz-Hilfsmotorantriebe
  • Netzwerkstromversorgungen
  • Server-Stromversorgungen

900-V-SiC-MOSFETs

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG020N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 9,8 A/112 A, D2PAK Details anzeigen
NTHL020N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 118 A, TO247-3 Details anzeigen
NTHL060N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 46 A, TO247-3 Details anzeigen
NVBG020N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 9,8 A/112 A, D2PAK Details anzeigen
NVHL020N090SC1 SIC-FET, N-KANAL, 900 V, 118 A, TO247-3 Details anzeigen

1200-V-SiC-MOSFET von onsemi

1200-V-SiC-MOSFETs M3S

Die planaren 1200-V-SiC-MOSFETs der Familie M3S von onsemi sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie bietet den zuverlässigen Betrieb mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spannungsspitzen am Gate aus. Die Familie bietet optimale Leistung, wenn sie mit 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, eignet sich aber auch gut für eine 15-V-Gate-Ansteuerung.

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Merkmale/Funktionen

  • TO247-4LD-Gehäuse für niedrige gemeinsame Source-Induktivität
  • 15-V- bis 18-V-Gate-Ansteuerung
  • Neue M3S-Technologie: 22 mOhm RDS(ON) mit geringen EON- und EOFF-Verlusten
  • 100 % Avalanche-getestet

Vorteile

  • Geringere EON-Verluste
  • 18 V für beste Leistung; 15 V für Kompatibilität mit IGBT-Treiberschaltungen
  • Verbesserte Leistungsdichte
  • Verbesserte Robustheit gegenüber unerwarteten Spannungsspitzen oder Klingeln

Anwendungen/Zielmärkte

  • AC/DC-Wandlung
  • DC/AC-Wandlung
  • DC/DC-Wandlung

Endprodukte

  • USV
  • Laden von Elektrofahrzeugen
  • Solarwechselrichter
  • Energiespeichersysteme

1200-V-SiC-MOSFETs

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NTHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NVHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NTHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 Details anzeigen
NVBG020N120SC1 MOSFET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NVHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 Details anzeigen

SiC-Dioden

650-V-SiC-Diode

650-V-SiC-Dioden

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Rückwärtserholungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und ein hervorragendes thermisches Verhalten machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

Erfahren Sie mehr

Merkmale/Funktionen

  • Leicht parallel zu schalten
  • Hohe Stoßstrombelastbarkeit
  • Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C
  • Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
  • Höhere Schaltfrequenz
  • Niedrige Durchlassspannung (VF)
  • Positiver Temperaturkoeffizient
  • AEC-Q101-konform und PPAP-tauglich

Vorteile

  • DC/DC-Wandler für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Bordladegeräte für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Industrielle Stromversorgung
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Solartechnik
  • USV
  • Schweißtechnik

650-V-SiC-Dioden

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
FFSB0665B SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 6 A Details anzeigen
FFSB0865B SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 8 A Details anzeigen
FFSP08120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 8 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSP10120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 10 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSP15120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 15 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSH20120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 30 A, TO247-2 Details anzeigen
FFSP3065A SCHOTTKY-DIODE, 650 V, 30 A, TO220-2 Details anzeigen
FFSM0665A SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 6 A Details anzeigen
FFSD1065A SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 10 A Details anzeigen
FFSB1065B-F085 SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 10 A Details anzeigen
FFSB2065B-F085 SIC-DIODE, 650 V Details anzeigen
FFSM1265A SIC-SCHOTTKY-DIODE, 650 V, 12 A Details anzeigen
FFSD08120A SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 8 A Details anzeigen
FFSD10120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, TO252 Details anzeigen
FFSD1065B-F085 SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 10 A Details anzeigen
FFSB3065B-F085 SIC-SCHOTTKY-DIODE GEN1.5, 650 V, 30 A Details anzeigen
FFSB10120A-F085 KFZ-SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 10 A Details anzeigen
FFSB20120A-F085 KFZ-SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 20 A Details anzeigen
FFSP05120A SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, TO220-2 Details anzeigen
FFSP20120A SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 20 A, TO220-2L Details anzeigen

1200-V-SiC-Diode

1200-V-SiC-Dioden

Die 1200-V-SiC-MOSFETs von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte EMI und reduzierte Systemgrößen.

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Merkmale/Funktionen

  • Nennspannung von 1200 V
  • Niedriger Durchlasswiderstand
  • Kompakte Chipgröße gewährleistet niedrige Kapazität und Gate-Ladung
  • Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
  • 100 % UIL-getestet
  • Automobilzulassung nach AEC-Q101

Anwendungen/Zielmärkte

  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Bordladegeräte
  • Aufwärts-Wechselrichter
  • Solar-Ladegeräte
  • Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)
  • Bordladegeräte für die Automobilindustrie
  • Kfz-Hilfsmotorantriebe
  • Solarwechselrichter
  • Netzwerkstromversorgungen
  • Server-Stromversorgungen

1200-V-SiC-Dioden

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NTBG020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NTHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NVHL020N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 Details anzeigen
NTHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 Details anzeigen
NVBG020N120SC1 MOSFET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK Details anzeigen
NVHL080N120SC1 SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 Details anzeigen

1700-V-SiC-Diode

1700-V-SiC-Dioden

Die 1700-V-Siliziumkarbid-(SiC-)Schottky-Dioden von ON Semiconductor nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und eine hervorragende thermische Performance machen Siliziumkarbid zum Leistungshalbleiter der nächsten Generation. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere BetriebsfrequenzEN, höhere LeistungsdichteN, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.

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Merkmale/Funktionen

  • Leicht parallel zu schalten
  • Hohe Stoßstrombelastbarkeit
  • Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C
  • Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
  • Höhere Schaltfrequenz
  • Niedrige Durchlassspannung (VF)
  • Positiver Temperaturkoeffizient
  • AEC-Q101-konform und PPAP-tauglich

Anwendungen/Zielmärkte

  • DC/DC-Wandler für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Bordladegeräte für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
  • Industrielle Stromversorgung
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Solartechnik
  • USV
  • Schweißtechnik

1700-V-SiC-Dioden

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NDSH25170A SIC-JUNCTION-BARRIER-SCHOTTKY-DIODE, 1700 V, 25 A, TO247 Details anzeigen

SiC-Treiber

SiC-Treiber

SiC-Treiber

Der schnelle einkanalige 6-A-Low-Side-Treiber NCx51705 von onsemi ist in erster Linie für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs konzipiert. Um möglichst geringe Leitungsverluste zu erzielen, kann der Treiber die maximal zulässige Gate-Spannung an das SiC-MOSFET-Bauelement liefern. Durch die Bereitstellung eines hohen Spitzenstroms während des Ein- und Ausschaltens werden auch die Schaltverluste minimiert. Für eine verbesserte Zuverlässigkeit, dV/dT-Immunität und ein noch schnelleres Ausschalten kann der NCx51705 mit seiner integrierten Ladungspumpe eine vom Benutzer wählbare negative Spannungsschiene erzeugen. Für isolierte Anwendungen bietet der NCx51705 auch eine von außen zugängliche 5-V-Schiene zur Versorgung der Sekundärseite von digitalen oder Hochgeschwindigkeits-Optoisolatoren.

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Merkmale/Funktionen

  • Hoher Spitzenausgangsstrom mit geteilten Ausgangsstufen
  • Erweiterte positive Nennspannung von maximal 28 V
  • Integrierte einstellbare negative Ladungspumpe (-3,3 V bis -8 V)
  • Zugängliche 5-V-Referenz-/Vorspannungsschiene
  • Einstellbare Unterspannungssperre
  • Funktion zur schnellen Entsättigung
  • QFN24-Gehäuse, 4 mm x 4 mm
  • Ermöglicht unabhängige Ein/Aus-Anpassung
  • Effizienter SiC-MOSFET-Betrieb während der Leitungsperiode
  • Schnelles Ausschalten und robuste dV/dT-Immunität
  • Minimierung der Komplexität der Vorspannungsversorgung in Anwendungen mit isoliertem Gate-Treiber
  • Ausreichende VGS-Amplitude für optimale SiC-Leistung
  • Selbstschutz des Designs
  • Kleines Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität

Anwendungen/Zielmärkte

  • Hochleistungswechselrichter
  • Hochleistungsmotor-Treiber
  • Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur
  • Industrie und Motorantriebe
  • USV und Solar-Wechselrichter
  • Hochleistungs-Gleichstromladegeräte

SiC-Treiber

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCP51705MNTXG GATE-TREIBER-IC, LOW-SIDE, 24QFN Details anzeigen
NCV51705MNTWG GATE-TREIBER-IC, LOW-SIDE, 24QFN Details anzeigen

Isolierter Hochstrom-Gate-Treiber

Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nicht invertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

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Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber

Hersteller-Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCD57000DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCD57001DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCV57001DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen
NCV57000DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen

Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule

SiC-Hybrid-Module

Leistungsmodule und SiC-Hybridmodule

Merkmale/Funktionen

  • Optimiert für überlegene Performance
  • Geringerer Wärmewiderstand als diskrete Geräte
  • Leicht zu montierende Gehäuse mit branchenüblichen Pinbelegungen
Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NXH100B120H3Q0PTG Integriertes Leistungsmodul, zweifach aufwärts, IGBT 1200 V, 50 A plus Diode 1200 V, 20 A Details anzeigen
NXH80B120MNQ0SNG Integriertes Leistungsmodul, Zwei Kanäle, Voll-SiC, Aufwärts, MOSFET, 1200 V, 80 A plus SiC-Diode, 1200V, 20 A Details anzeigen

Kommunikation

CAN

CAN

Die drahtgebundenen Transceiver von onsemi eignen sich ideal für die Vernetzung im Fahrzeug, die industrielle Vernetzung, dezentrale Türelektroniken, Karosseriesteuergeräte, Haus-, Gebäude- und Prozessautomatisierung, Umweltüberwachung und Smart-Energy-Anwendungen. Das Portfolio umfasst auch AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen, die speziell für Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt und qualifiziert wurden.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCV7349 CAN-Transceiver, Hochgeschwindigkeit, geringe Leistungsaufnahme Details anzeigen
NCV7351 CAN/CAN-FD-Transceiver, Hochgeschwindigkeit, geringe Leistungsaufnahme Details anzeigen
NCV7357 CAN-FD-Transceiver, Hochgeschwindigkeit Details anzeigen
NCV7343 CAN-FD-Transceiver, Hochgeschwindigkeit, geringe Leistungsaufnahme Details anzeigen
NCV7344 CAN-FD-Transceiver, Hochgeschwindigkeit, geringe Leistungsaufnahme Details anzeigen
BLE

BLE

Mit der drahtlosen Bluetooth® Low Energy-Konnektivität erfüllt der RSL15 die wachsende Nachfrage nach Sicherheit bei vernetzten industriellen Anwendungen, ohne dabei die Energiesparsamkeit zu beeinträchtigen.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
RSL10 Funk-SoC, Bluetooth®-5-zertifiziert, SDK 3.5 / SIP Details anzeigen
RSL15 Sichere Bluetooth®-5.2-Funk-MCU Details anzeigen

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Galvanisch getrennte Gate-Treiber

Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nicht invertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCD57000DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCD57001DWR2G IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC Details anzeigen
NCV57001DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen
NCV57000DWR2G IC-IGBT-GATE-TREIBER Details anzeigen

Digital-Isolatoren

Digital-Isolatoren

Digital-Isolatoren

Die Digital-Isolatoren von onsemi verwenden ein moduliertes Hochfrequenzsignal, um digitale Hochgeschwindigkeitsdaten über eine kapazitive Trennbarriere zu übertragen. Das Signal wird dann auf der anderen Seite der Barriere demoduliert, wodurch ein hochspannungsisolierter Datenübertragungsempfänger entsteht. Durch den Einsatz digitaler Technologie (z. B. Manchester-Codierung/Decodierung, Verfolgung digitaler Parameter) ist der Digital-Isolator in der Lage, über einen weiten Temperaturbereich und über die gesamte Lebensdauer des Bauteils eine gleichbleibende Leistung zu erbringen.

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCID9210 Digital-Isolator mit I2C/SPI, 5000 Vrms, 50 MBit/s und CMTI von 100 kV/µs mit zwei Kanälen, im 16-poligen SOIC-Gehäuse (7,5 mm breit) Details anzeigen
NCID9210R2 Digital-Isolator mit I2C/SPI, 5000 Vrms, 50 MBit/s und CMTI von 100 kV/µs mit zwei Kanälen, im 16-poligen SOIC-Gehäuse (7,5 mm breit) Details anzeigen
NCID9211R2 Digital-Isolator mit I2C/SPI, 5000 Vrms, 50 MBit/s und CMTI von 100 kV/µs mit zwei Kanälen, im 16-poligen SOIC-Gehäuse (7,5 mm breit) Details anzeigen
NCID9401R2 Digital-Isolator mit I2C/SPI, 5000 Vrms, 10 MBit/s und CMTI von 100 kV/µs, 4 Kanäle, 16-SOIC (7,5 mm breit) Details anzeigen
NCID9401 Digital-Isolator mit I2C/SPI, 5000 Vrms, 10 MBit/s und CMTI von 100 kV/µs, 4 Kanäle, 16-SOIC (7,5 mm breit) Details anzeigen
NCID9411 Digital-Isolator mit I2C/SPI, 5000 Vrms, 10 MBit/s und CMTI von 100 kV/µs, 4 Kanäle, 16-SOIC (7,5 mm breit) Details anzeigen
NCID9411R2 Digital-Isolator mit I2C/SPI, 5000 Vrms, 10 MBit/s und CMTI von 100 kV/µs, 4 Kanäle, 16-SOIC (7,5 mm breit) Details anzeigen
NCD57201DR2G Gate-Treiber, 1,9 A, 2,3 A, kapazitive Kopplung, 1000 Vrms, 1 Kanal, 8-SOIC Details anzeigen
NCV57200DR2G Halbbrücken-Gate-Treiber-IC, nicht invertierend, 8-SOIC Details anzeigen

AC/DC - DC/DC-Regler

AC/DC-, DC/DC-Regler/Wandler

AC/DC- und DC/DC-Regler

onsemi verfügt über ein umfassendes Portfolio an Offline-AC/DC- und DC/DC-Wandlern und -Reglern sowie Leistungsfaktorreglern und sekundärseitigen Reglern, die einen hohen Wirkungsgrad im aktiven Modus, einen niedrigen Verbrauch im Standby-Modus und eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.

  1. Offline-Schaltregler, einschließlich PWM-Sperr-/Durchlassreglern mit fester Frequenz sowie strom- und spannungsgesteuerten Reglern.
  2. Offline-Schaltregler, einschließlich strom- und spannungsgesteuerter Gate-Oszillatoren.
  3. Leistungsfaktorregler mit variablem Betrieb an der Leitungsgrenze (CRM), Dauerleitbetrieb (CCM) und lückendem Betrieb (DCM), die eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.
  4. Sekundärseitiger Regler für Synchrongleichrichtung.
  5. Strom- und spannungsgesteuerte DC/DC-Regler für DC/DC-Leistungswandlungsschaltungen.
Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCP10670 Offline-Schaltregler (Sperrtopologie mit integriertem Leistungsschalter) Details anzeigen
FSL336 Offline-Schaltregler (Sperrtopologie mit integriertem Leistungsschalter) Details anzeigen
FSL337 Wandler, Offline Abwärts, Abwärts-/Aufwärts, Sperrtopologie, 50 kHz, 7-DIP Details anzeigen
FSL518A/H Offline-Schaltregler (Sperrtopologoie mit integriertem Leistungsschalter) Details anzeigen
FSL538A/H Offline-Schaltregler (Sperrtopologoie mit integriertem Leistungsschalter) Details anzeigen

AC/DC- und DC/DC-Regler

AC/DC-, DC/DC-Regler/Wandler

AC/DC- und DC/DC-Regler

onsemi verfügt über ein umfassendes Portfolio an Offline-AC/DC- und DC/DC-Wandlern und -Reglern sowie Leistungsfaktorreglern und sekundärseitigen Reglern, die einen hohen Wirkungsgrad im aktiven Modus, einen niedrigen Verbrauch im Standby-Modus und eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.

  1. Offline-Schaltregler, einschließlich PWM-Sperr-/Durchlassreglern mit fester Frequenz sowie strom- und spannungsgesteuerten Reglern.
  2. Offline-Schaltregler, einschließlich strom- und spannungsgesteuerter Gate-Oszillatoren.
  3. Leistungsfaktorregler mit variablem Betrieb an der Leitungsgrenze (CRM), Dauerleitbetrieb (CCM) und lückendem Betrieb (DCM), die eine Leistungsfaktorkorrektur ermöglichen.
  4. Sekundärseitiger Regler für Synchrongleichrichtung.
  5. Strom- und spannungsgesteuerte DC/DC-Regler für DC/DC-Leistungswandlungsschaltungen.
Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCP1252 PWM-Regler, Strom-Modus, für Durchlass-und Sperr-Anwendungen Details anzeigen
NCP12700 Strommodus-PWM-Regler mit ultraweitem Eingangsbereich Details anzeigen
NCP136x Primärseitiger Kfz-PWM-Regler für Niedrigleistungs-Offline-Schaltnetzteil Details anzeigen
NCP1568 AC/DC-Sperrwandler mit aktiver Begrenzung Details anzeigen
NCP4306 Primärer sekundärseitiger Regler Details anzeigen

DC/DC-Wandler

DC/DC-Wandler

DC/DC-Wandler

Teilenummer Beschreibung Details anzeigen
NCP3237MNTXG Abwärts-Schaltregler-IC, positiv einstellbar: 0,6 V, 1 Ausgang, 8 A, 18-VFQFN Details anzeigen
FAN49100AUC330X Abwärts-Aufwärts-Schaltregler-IC, fest eingestellt positiv: 3,3 V, 1 Ausgang, 2 A, 20-UFBGA, WLCSP Details anzeigen
FAN49103AUC340X Abwärts-Aufwärts-Schaltregler-IC, programmierbar (fest einstellbar): 2,8 V, 3, 4 V, 1 Ausgang, 2,5 A, 20-UFBGA, WLCSP Details anzeigen
FAN53555UC08X Schaltregler-IC, Ausgang Details anzeigen
FAN53555BUC79X Schaltregler-IC, Ausgang Details anzeigen
FAN53555UC09X Schaltregler-IC, Ausgang Details anzeigen
FAN5910UCX Schaltregler-IC, Ausgang Details anzeigen
FAN48610UC50X Aufwärts-Schaltregler-IC, fest eingestellt positiv: 5 V, 1 Ausgang, 1 A (Schalter), 9-UFBGA, WLCSP Details anzeigen
FAN48610BUC50X Aufwärts-Schaltregler-IC, fest eingestellt positiv: 5 V, 1 Ausgang, 1 A (Schalter), 9-UFBGA, WLCSP Details anzeigen
FAN53880UC001X Schaltregler-IC, Ausgang Details anzeigen
NCP5252MNTXG Abwärts-Schaltregler-IC, positiv einstellbar: 0,6 V, 1 Ausgang, 2 A, 16-VFQFN, freiliegendes Pad Details anzeigen
NCP3064MNTXG Abwärts-Aufwärts-Schaltregler-IC, positiv oder negativ einstellbar: 1,25 V, 1 Ausgang, 1,5 A (Schalter), 8-VDFN, freiliegendes Pad Details anzeigen
NCP3064BDR2G Abwärts-Aufwärts-Schaltregler-IC, positiv oder negativ einstellbar: 1,25 V, 1 Ausgang, 1,5 A (Schalter), 8-SOIC (3,90mm breit) Details anzeigen
NCP3064DR2G Abwärts-Aufwärts-Schaltregler-IC, positiv oder negativ einstellbar: 1,25 V, 1 Ausgang, 1,5 A (Schalter), 8-SOIC (3,90mm breit) Details anzeigen
NCP3064MNTXG Abwärts-Aufwärts-Schaltregler-IC, positiv oder negativ einstellbar: 1,25 V, 1 Ausgang, 1,5 A (Schalter), 8-VDFN, freiliegendes Pad Details anzeigen
FAN53610AUC33X Abwärts-Aufwärts-Schaltregler-IC, fest eingestellt positiv: 3,3 V, 1 Ausgang, 1 A, 6-UFBGA, WLCSP Details anzeigen