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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
DMNH6008SCT | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | DMNH6008SCT-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | DMNH6008SCT |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 130 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 21 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) 20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2596 pF @ 30 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 210W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Klasse Automobiltechnik |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Qualifizierung AEC-Q101 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Montagetyp Durchkontaktierung |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8mOhm bei 20A, 10V | Gehäuse / Hülle |
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA | Basis-Produktnummer |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP75N08A | onsemi | 0 | FDP75N08A-ND | Fr. 0.00000 | Ähnlich |
| IPP80N06S209AKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP80N06S209AKSA1-ND | Fr. 0.00000 | Ähnlich |
| IRF1010NPBF | Infineon Technologies | 0 | IRF1010NPBF-ND | Fr. 1.17623 | Ähnlich |
| IRF3205PBF | Infineon Technologies | 0 | IRF3205PBF-ND | Fr. 1.82000 | Ähnlich |
| IRF60B217 | Infineon Technologies | 0 | IRF60B217-ND | Fr. 0.00000 | Ähnlich |
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Auf Bestellung verfügbar
Bestand des Herstellers: 1’100
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50 | Fr. 0.86620 | Fr. 43.31 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 0.86620 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 0.93636 |
