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N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP11N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-13170-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP11N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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STP11N65M5 Modelle
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ V
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
480mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
644 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP11
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50Fr. 1.02080Fr. 51.04
100Fr. 0.91800Fr. 91.80
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Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:Fr. 2.24848