N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP45N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-12937-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP45N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP45N65M5 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
91 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3375 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
78mOhm bei 19,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 7.11000Fr. 7.11
50Fr. 3.88620Fr. 194.31
100Fr. 3.57520Fr. 357.52
500Fr. 3.03106Fr. 1’515.53
1’000Fr. 2.90886Fr. 2’908.86
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 7.11000
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