SIHP17N60D-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen


Vishay Siliconix
Vorrätig: 16’512
Stückpreis : Fr. 3.28000
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 67
Stückpreis : Fr. 3.19000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 1’602
Stückpreis : Fr. 3.26000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 2’037
Stückpreis : Fr. 3.44000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 2’299
Stückpreis : Fr. 3.22000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 703
Stückpreis : Fr. 3.42000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 990
Stückpreis : Fr. 2.95000
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 219
Stückpreis : Fr. 5.90000
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.93087
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 2.56773
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 2’014
Stückpreis : Fr. 3.32000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 6
Stückpreis : Fr. 4.44000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 586
Stückpreis : Fr. 1.94000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 1’220
Stückpreis : Fr. 4.20000
Datenblatt
N-Kanal 600 V 17 A (Tc) 277,8W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP17N60D-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP17N60D-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP17N60D-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 17 A (Tc) 277,8W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
90 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Obsolet
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1780 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
277,8W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
340mOhm bei 8A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (18)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHP15N60E-GE3Vishay Siliconix16’512SIHP15N60E-GE3-NDFr. 3.28000Vom Hersteller empfohlen
AOT15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.67785-1511-5-NDFr. 3.19000Ähnlich
FCP11N60onsemi1’602FCP11N60-NDFr. 3.26000Ähnlich
FCP11N60Fonsemi2’037FCP11N60FFS-NDFr. 3.44000Ähnlich
FCP380N60onsemi2’2991990-FCP380N60-NDFr. 3.22000Ähnlich
Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.