Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich

SIHP22N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP22N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP22N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP22N65E-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2415 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 227W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1’432 | FCP190N60EOS-ND | Fr. 3.96000 | Ähnlich |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Ähnlich |
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R190E6XKSA1-ND | Fr. 1.33324 | Ähnlich |
| IXFP30N60X | IXYS | 0 | IXFP30N60X-ND | Fr. 2.72563 | Ähnlich |
| IXKP24N60C5 | IXYS | 0 | IXKP24N60C5-ND | Fr. 3.80353 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.61643 | Fr. 1’616.43 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.61643 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.74736 |








