Webinar – HEMT GaN ad alta tensione (EcoGaN™) per sistemi di alimentazione

Gli HEMT GaN (nitruro di gallio) hanno permesso ai progettisti di fare progressi enormi nello sviluppo dei dispositivi di gestione della potenza di prossima generazione. I semiconduttori con composti non a base di silicio, come il GaN, consentono di realizzare dispositivi più efficienti, più affidabili, con frequenze superiori, potenza maggiore e consumi ridotti. ROHM Semiconductor ha sfruttato le caratteristiche di commutazione più elevate e di resistenza nello stato On inferiori del GaN nella sua linea HEMT GaN o EcoGaN di GaNFET ad alta potenza.

Kengo Ohmori, responsabile di marketing tecnico dei prodotti USA presso ROHM Semiconductor, apre la discussione sull'impatto del GaN sui dispositivi compatti a basso consumo energetico e sui CI che ottimizzano la tecnologia GaN. Ohmori parlerà del futuro dei sistemi di alimentazione basati sul GaN e offrirà spunti e temi di discussione stimolanti.

Il webinar online, della durata di un'ora, si terrà giovedì 3 ottobre 2024 alle ore 11.00 CDT. Se non puoi partecipare al webinar, iscriviti lo stesso in modo da ricevere il link della registrazione del webinar una volta concluso.

Iscriviti qui: https://event.on24.com/wcc/r/4711337/5C98B5EC96858152A6D25439BCC44AA6?partnerref=blog