Array FET, MOSFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tecnologia	Configurazione	Funzione FET	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	245’010 In magazzino	1 : Fr. 0.17000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.03272 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	300mA	1,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	40pF a 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	75’796 In magazzino	1 : Fr. 0.22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04627 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	295mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,9nC a 4,5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	63’506 In magazzino	1 : Fr. 0.25000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.03526 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA	3ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	4’578 In magazzino	1 : Fr. 0.25000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04963 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	230mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	107’846 In magazzino	1 : Fr. 0.26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05399 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2ohm a 100mA, 4,5V	1V a 1mA	-	12pF a 10V	300mW	150°C	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
DMC2700UDM-7 MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Diodes Incorporated	1’029’091 In magazzino 4’740’000 Fabbrica	1 : Fr. 0.28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05092 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	1,34 A, 1,14 A	400mohm a 600mA, 4,5V	1V a 250µA	0,74nC a 4,5V	60,67pF a 16V	1,12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-26
DMC2400UV-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Diodes Incorporated	47’186 In magazzino	1 : Fr. 0.28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05721 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	1,03A, 700 mA	480mohm a 200mA, 5V	900mV a 250µA	0,5nC a 4,5V	37,1pF a 10V	450mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	40’448 In magazzino	1 : Fr. 0.29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07018 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	115mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	42’080 In magazzino	1 : Fr. 0.30000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06365 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	880mA	400mohm a 880mA, 2,5V	750mV a 1,6µA	0,26nC a 2,5V	78pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	656’213 In magazzino	1 : Fr. 0.32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05913 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,2V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	51’108 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 8’000 : Fr. 0.05902 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMT6
SI3932DV-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP Vishay Siliconix	28’255 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.16075 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	3,7A	58mohm a 3,4A, 10V	2,2V a 250µA	6nC a 10V	235pF a 15V	1,4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	6-TSOP
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	12’274 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07079 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	2’759 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06142 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohm a 3,1 A, 10V	2,3V a 250µA	13nC a 10V	400pF a 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
NVTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	90’186 In magazzino	1 : Fr. 0.34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06446 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	30V	250mA	1,5ohm a 10mA, 4V	1,5V a 100µA	1,3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SIL2308-TP MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L MCC (Micro Commercial Components)	34’125 In magazzino	1 : Fr. 0.34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07392 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	20V	5A, 4A	38mohm a 4,5A, 4,5V, 90mohm a 500mA, 4,5V	1V a 250µA	11nC a 4,5V, 12nC a 2,5V	800pF, 405pF a 8V, 10V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-23-6L
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	25’981 In magazzino	1 : Fr. 0.34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06899 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohm a 3,4A, 10V	1,5V a 250µA	12,3nC a 10V	422pF a 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	22’521 In magazzino	1 : Fr. 0.34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07178 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	8V	1,3A	175mohm a 1,2A, 4,5V	1V a 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	80’067 In magazzino	1 : Fr. 0.34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07422 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	30V	250mA	1,5ohm a 10mA, 4V	1,5V a 100µA	1,3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	35’141 In magazzino	1 : Fr. 0.34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07752 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	610mA (Ta)	396mohm a 500mA, 4,5V	1V a 250µA	2nC a 8V	43pF a 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 onsemi	31’547 In magazzino	1 : Fr. 0.35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07403 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	20V	880mA	260mohm a 880mA, 4,5V	1,2V a 250µA	2,2nC a 4,5V	155pF a 20V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	216’393 In magazzino	1 : Fr. 0.37000 Nastro pre-tagliato (CT) 4’000 : Fr. 0.06538 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	20V	540mA	550mohm a 540mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	17’353 In magazzino	1 : Fr. 0.37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.08063 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	630mA	375mohm a 630mA, 4,5V	1,5V a 250µA	3nC a 4,5V	46pF a 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
MCM3400A-TP MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN MCC (Micro Commercial Components)	103’397 In magazzino	1 : Fr. 0.38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.08160 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	30V	5A	32mohm a 5,8A, 10V	1,5V a 250µA	-	1155pF a 15V	1,4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VDFN piazzola esposta	DFN2020-6L
BSS84DW-7-F MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363 Diodes Incorporated	23’146 In magazzino	1 : Fr. 0.41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07571 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	50V	130mA	10ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	-	45pF a 25V	300mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363

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I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.

Array FET, MOSFET

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