Array FET, MOSFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tecnologia	Configurazione	Funzione FET	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	56’753 In magazzino	1 : Fr. 0.17000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.03223 Nastrato in bobina (TR)	U-MOSVII-H	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	300mA	1,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	40pF a 10V	285mW	150°C	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	76’787 In magazzino	1 : Fr. 0.22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04467 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA (Ta)	1,6ohm a 500mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	50pF a 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	14’485 In magazzino	1 : Fr. 0.23000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04731 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	320mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,4V a 250µA	0,8nC a 4,5V	50pF a 10V	420mW	150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q100	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NX3020NAKS,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	2’180 In magazzino	1 : Fr. 0.23000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04665 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	180mA	4,5ohm a 100mA, 10V	1,5V a 250µA	0,44nC a 4,5V	13pF a 10V	375mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002HSX MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	6’614 In magazzino	1 : Fr. 0.24000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04980 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	-	2 canali N (doppio)	-	60V	320mA (Ta)	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,5nC a 4,5V	34pF a 10V	420mW	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSS84AKS,115 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	1’100 In magazzino	1 : Fr. 0.24000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05097 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	50V	160mA	7,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0,35nC a 5V	36pF a 25V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	58’727 In magazzino	1 : Fr. 0.25000 Nastro pre-tagliato (CT) 4’000 : Fr. 0.04957 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohm a 800mA, 4,5V, 390mohm a 800mA, 4,5V	1V a 1mA	1nC a 10V	55pF a 10V, 100pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	ES6
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	229’185 In magazzino	1 : Fr. 0.26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05305 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2ohm a 100mA, 4,5V	1V a 1mA	-	12pF a 10V	300mW	150°C	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	61’067 In magazzino	1 : Fr. 0.27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05534 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA	3ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
NX3008PBKS,115 MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	1’821 In magazzino	1 : Fr. 0.27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05558 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	30V	200mA	4,1ohm a 200m A, 4,5V	1,1V a 250µA	0,75nC a 4,5V	46pF a 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMC2700UDM-7 MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Diodes Incorporated	918’884 In magazzino 2’349’000 Fabbrica	1 : Fr. 0.28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05886 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	1,34 A, 1,14 A	400mohm a 600mA, 4,5V	1V a 250µA	0,74nC a 4,5V	60,67pF a 16V	1,12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-26
DMC2400UV-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Diodes Incorporated	10’400 In magazzino	1 : Fr. 0.28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05648 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	1,03A, 700 mA	480mohm a 200mA, 5V	900mV a 250µA	0,5nC a 4,5V	37,1pF a 10V	450mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
DMC2400UV-13 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Diodes Incorporated	5’752 In magazzino	1 : Fr. 0.28000 Nastro pre-tagliato (CT) 10’000 : Fr. 0.04747 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	20V	1,03A, 700 mA	480mohm a 200mA, 5V	900mV a 250µA	0,5nC a 4,5V	37,1pF a 10V	450mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NX3008CBKS,115 MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	3’805 In magazzino	1 : Fr. 0.28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05848 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	350mA, 200mA	1,4ohm a 350m A, 4,5V	1,1V a 250µA	0,68nC a 4,5V	50pF a 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	11’576 In magazzino	1 : Fr. 0.30000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06274 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	1,07A, 845mA	450mohm a 600mA, 4,5V	1V a 250µA	0,74nC a 4,5V	60,67pF a 10V	330mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
NX3008NBKS,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	232’867 In magazzino	1 : Fr. 0.31000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06641 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	350mA	1,4ohm a 350m A, 4,5V	1,1V a 250µA	0,68nC a 4,5V	50pF a 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	591’987 In magazzino	1 : Fr. 0.31000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06835 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,2V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
BSD223PH6327XTSA1 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Infineon Technologies	102’237 In magazzino	1 : Fr. 0.31000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06776 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	20V	390mA	1,2ohm a 390mA, 4,5V	1,2V a 1,5µA	0,62nC a 4,5V	56pF a 15V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-6-1
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	162’181 In magazzino	1 : Fr. 0.32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06956 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	43’155 In magazzino	1 : Fr. 0.32000 Nastro pre-tagliato (CT) 8’000 : Fr. 0.06054 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMT6
NVJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	29’907 In magazzino	1 : Fr. 0.32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06956 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	295mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,9nC a 4,5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	27’265 In magazzino	1 : Fr. 0.32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06817 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohm a 3,1 A, 10V	2,3V a 250µA	13nC a 10V	400pF a 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
NX3020NAKV,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Nexperia USA Inc.	261’818 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 4’000 : Fr. 0.06761 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	200mA	4,5ohm a 100mA, 10V	1,5V a 250µA	0,44nC a 4,5V	13pF a 10V	375mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	58’069 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07052 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	8V	1,3A	175mohm a 1,2A, 4,5V	1V a 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	20’166 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06899 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohm a 3,4A, 10V	1,5V a 250µA	12,3nC a 10V	422pF a 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26

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I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.

Array FET, MOSFET

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