Transistor RF bipolari

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Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo di transistor
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
Frequenza - Transizione
Cifra di rumore (dB tip. a f)
Guadagno
Potenza - Max
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
Corrente - Collettore (Ic) max
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
BCV27
RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
onsemi
1’860
In magazzino
1 : Fr. 0.09000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.03216
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
PNP
20V
600MHz
-
-
225mW
60 a 5mA, 10V
50mA
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SC-101, SOT-883
RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1
Infineon Technologies
215’876
In magazzino
1 : Fr. 0.29000
Nastro pre-tagliato (CT)
15’000 : Fr. 0.11147
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
9V
14GHz
1dB ~ 1,3dB a 1,8GHz ~ 3GHz
11,5dB ~ 16dB
210mW
90 a 15mA, 3V
35mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-101, SOT-883
PG-TSLP-3-1
PG-SOT323
RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Infineon Technologies
58’009
In magazzino
1 : Fr. 0.29000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.11867
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
12V
8GHz
0,9dB ~ 1,2dB a 900MHz ~ 1,8GHz
19dB
175mW
70 a 5mA, 8V
20mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-70, SOT-323
PG-SOT323
BFR380FH6327XTSA1
RF TRANS NPN 9V 14GHZ PG-TSFP-3
Infineon Technologies
22’620
In magazzino
1 : Fr. 0.29000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.11867
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
9V
14GHz
1,1dB ~ 1,6dB a 1,8GHz ~ 3GHz
9,5dB ~ 13,5dB
380mW
90 a 40mA, 3V
80mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-723
PG-TSFP-3
PG-SOT323
RF TRANS NPN 12V 6GHZ PG-SOT-323
Infineon Technologies
19’501
In magazzino
1 : Fr. 0.29000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.11867
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
12V
6GHz
1,5dB ~ 2,6dB a 900MHz ~ 1,8GHz
10,5dB ~ 15,5dB
300mW
70 a 30mA, 8V
90mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-70, SOT-323
PG-SOT323
PG-SOT23
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Infineon Technologies
11’659
In magazzino
1 : Fr. 0.29000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.11867
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
12V
8GHz
0,9dB ~ 1,4dB a 900MHz ~ 1,8GHz
17,5dB
450mW
70 a 15mA, 8V
65mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BFR380FH6327XTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3
Infineon Technologies
2’706
In magazzino
1 : Fr. 0.29000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.11867
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
12V
8GHz
1dB ~ 1,6dB a 900MHz ~ 1,8GHz
12,5dB
580mW
70 a 30mA, 8V
80mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-723
PG-TSFP-3
PG-SOT23
RF TRANS NPN 15V 5GHZ PG SOT-23
Infineon Technologies
2’698
In magazzino
1 : Fr. 0.29000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.11867
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
15V
5GHz
1,8dB ~ 3dB a 900MHz ~ 1,8GHz
8,5dB ~ 13dB
700mW
70 a 70mA, 8V
210mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
SOT-23-3
RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT-23-3
Diodes Incorporated
55’127
In magazzino
1 : Fr. 0.31000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.13479
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
NPN
11V
3,2GHz
-
-
330mW
56 a 5mA, 10V
50mA
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BAR81WH6327XTSA1
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343
Infineon Technologies
124’320
In magazzino
1 : Fr. 0.47000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.20642
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
4,7V
46GHz
0,6dB ~ 2dB a 150MHz ~ 10GHz
7dB ~ 30dB
200mW
110 a 30mA, 3V
50mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-82A, SOT-343
PG-SOT343-4-2
PG-SOT343-3D
RF TRANS NPN 5V 30GHZ PG-SOT-343
Infineon Technologies
1’950
In magazzino
1 : Fr. 0.48000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.21215
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
5V
30GHz
0,9dB ~ 1,4dB a 1,8GHz
21,5dB
250mW
50 a 20mA, 3,5V
80mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-82A, SOT-343
PG-SOT343-3D
PG-SOT343-3D
RF TRANS NPN 5V 24GHZ PG-SOT-343
Infineon Technologies
1’925
In magazzino
1 : Fr. 0.49000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.21605
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
5V
24GHz
1,25dB a 1,8GHz
15,5dB
450mW
60 a 50mA, 4V
100mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-82A, SOT-343
PG-SOT343-3D
PG-TSFP-4-1
RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4
Infineon Technologies
81’000
In magazzino
1 : Fr. 0.52000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.23100
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
2,6V
85GHz
0,75dB a 5,5GHz
35dB
75mW
150 a 10mA, 1,8V
35mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
4-SMD, conduttori piatti
PG-TSFP-4-1
PG-SOT363-PO
RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Infineon Technologies
13’431
In magazzino
1 : Fr. 0.53000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.23607
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
2 NPN (doppio)
12V
8GHz
0,9dB ~ 1,2dB a 900MHz ~ 1,8GHz
20dB
175mW
70 a 5mA, 8V
20mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
onsemi
0
In magazzino
Verifica i tempi di consegna
1 : Fr. 0.08000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.02447
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
NPN
25V
650MHz
-
-
225mW
60 a 4mA, 10V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
BCV27
RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
onsemi
81’368
In magazzino
1 : Fr. 0.08000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.02654
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
NPN
12V
2GHz
5dB a 200MHz
15dB
225mW
25 a 3mA, 1V
50mA
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Diodes Incorporated
13’765
In magazzino
1 : Fr. 0.08000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.02708
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
NPN
25V
650MHz
-
-
300mW
60 a 4mA, 10V
50mA
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MMBD1401ALT1G
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
onsemi
5’171
In magazzino
1 : Fr. 0.08000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.02042
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
NPN
25V
650MHz
-
-
350mW
60 a 4mA, 10V
-
-
-
-
A montaggio superficiale
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
onsemi
3’706
In magazzino
1 : Fr. 0.08000
Nastro pre-tagliato (CT)
10’000 : Fr. 0.02298
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
NPN
25V
650MHz
-
-
225mW
60 a 4mA, 10V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO-92-3
onsemi
3’206
In magazzino
1 : Fr. 0.09000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
NPN
25V
650MHz
-
-
350mW
60 a 4mA, 10V
-
150°C (TJ)
-
-
Foro passante
TO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO-92-3
onsemi
1’692
In magazzino
1 : Fr. 0.09000
Nastro pre-tagliato (CT)
2’000 : Fr. 0.03586
Nastrato in scatola (TB)
-
Nastro pre-tagliato (CT)
Nastrato in scatola (TB)
Attivo
NPN
25V
650MHz
-
-
350mW
60 a 4mA, 10V
-
150°C (TJ)
-
-
Foro passante
Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3
PG-SOT343-3D
RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Infineon Technologies
49’812
In magazzino
1 : Fr. 0.26000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.10595
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
12V
8GHz
1dB ~ 1,6dB a 900MHz ~ 1,8GHz
13,5dB ~ 20,5dB
580mW
70 a 30mA, 8V
80mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-82A, SOT-343
PG-SOT343-3D
PG-SOT-143-3D
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Infineon Technologies
8’603
In magazzino
1 : Fr. 0.26000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.10741
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
12V
8GHz
0,9dB ~ 1,4dB a 900MHz ~ 1,8GHz
22dB
250mW
70 a 15mA, 8V
65mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-253-4, TO-253AA
PG-SOT-143-3D
SOT-323
RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT-323
Diodes Incorporated
2’273
In magazzino
129’000
Fabbrica
1 : Fr. 0.26000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.10940
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
NPN
11V
3,2GHz
-
-
330mW
56 a 5mA, 10V
50mA
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-70, SOT-323
SOT-323
SC-101, SOT-883
RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1
Infineon Technologies
0
In magazzino
1 : Fr. 0.29000
Nastro pre-tagliato (CT)
15’000 : Fr. 0.11147
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
NPN
9V
14GHz
1,15dB a 1,8GHz
17,5dB
60mW
90 a 5mA, 3V
10mA
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-101, SOT-883
PG-TSLP-3-1
Visualizzati
di 1’328

Transistor RF bipolari


I transistor RF bipolari sono dispositivi semiconduttori con tre terminali utilizzati per commutare o amplificare i segnali in apparecchiature che implicano l'uso di frequenze radio. I transistor a giunzione bipolare sono progettati come NPN o PNP; si differenziano per tipo di transistor, tensione di rottura collettore-emettitore, frequenza di transizione, cifra di rumore, guadagno, potenza, guadagno di corrente c.c. e corrente del collettore.