JFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)	Drain di corrente (Id) - Max	Tensione - Soglia (VGS off) a Id	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Resistenza - RDSon	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
MMBFJ177LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	6’776 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.09010 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
TF412ST5G JFET N-CH 30V 10MA SOT883 onsemi	75’424 In magazzino	1 : Fr. 0.34000 Nastro pre-tagliato (CT) 8’000 : Fr. 0.06365 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	1.2 mA @ 10 V	10 mA	180 mV @ 1 µA	4pF a 10V	-	100 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	3-XFDFN	SOT-883 (XDFN3) (1x0,6)
MMBFJ201 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	24’957 In magazzino	1 : Fr. 0.36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.08323 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	200 µA @ 20 V	-	300 mV @ 10 nA	-	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF4117 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	25’092 In magazzino	1 : Fr. 0.45000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.10526 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	30 µA @ 10 V	-	600 mV @ 1 nA	3pF a 10V	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK932-23-TB-E JFET N-CH 50MA SMCP onsemi	19’687 In magazzino	1 : Fr. 0.45000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.10200 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	-	15 V	10 mA @ 5 V	50 mA	200 mV @ 100 µA	-	-	200 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMCP
MMBFJ270 JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	68’485 In magazzino	1 : Fr. 0.49000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.12833 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 nA	-	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	680 In magazzino	1 : Fr. 2.88000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF a 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	1’536 In magazzino	1 : Fr. 2.94000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF a 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
JFE2140DR JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC Texas Instruments	3’217 In magazzino	1 : Fr. 3.71000 Nastro pre-tagliato (CT) 2’500 : Fr. 2.04900 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	2 canali N (doppio)	40 V	40 V	-	50 mA	1.5 V @ 0.1 µA	13pF a 5V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
UF3N170400B7S JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7 onsemi	6’110 In magazzino	1 : Fr. 8.61000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : Fr. 4.47473 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	1700 V	1700 V	2.2 µA @ 1700 V	6.8 A	-	225pF a 100V	500 mOhms	68 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N065080K3S JFET N-CH 650V 32A TO247-3 onsemi	128 In magazzino	1 : Fr. 9.04000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF a 100V	95 mOhms	190 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
SMMBFJ177LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	6’922 In magazzino	1 : Fr. 0.22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.09306 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
J111-D26Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	41’290 In magazzino 2’000 Fabbrica	1 : Fr. 0.24000 Nastro pre-tagliato (CT) 2’000 : Fr. 0.11515 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
MMBF4393LT1G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	28’213 In magazzino	1 : Fr. 0.27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06446 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF a 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF5103 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	55’659 In magazzino	1 : Fr. 0.31000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07426 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	10 mA @ 15 V	-	1.2 V @ 1 nA	16pF a 15V	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF4392LT1G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	17’740 In magazzino	1 : Fr. 0.32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07507 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	25 mA @ 15 V	-	2 V @ 10 nA	14pF a 15V	60 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ113 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	40’241 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06446 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK3557-6-TB-E JFET N-CH 5V 3CP onsemi	10’688 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.12077 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	15 V	15 V	20 mA @ 5 V	50 mA	1.5 V @ 100 µA	10pF a 5V	-	200 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CP
MMBFJ111 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	67’889 In magazzino	1 : Fr. 0.34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.08160 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111 JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	9’784 In magazzino 20’000 Fabbrica	1 : Fr. 0.34000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)	TO-92-3
J113 JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	6’277 In magazzino	1 : Fr. 0.34000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)	TO-92-3
MMBFJ112 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	52’581 In magazzino	1 : Fr. 0.35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06038 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF4393LT3G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	18’969 In magazzino 50’000 Fabbrica	1 : Fr. 0.35000 Nastro pre-tagliato (CT) 10’000 : Fr. 0.06202 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF a 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
BSR58 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	11’203 In magazzino	1 : Fr. 0.35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07344 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	-	60 Ohms	250 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ202 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	8’899 In magazzino	1 : Fr. 0.36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06446 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	900 µA @ 20 V	-	800 mV @ 10 nA	-	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3

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I transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) sono dispositivi utilizzati come interruttori a controllo elettronico, amplificatori o resistori controllati in tensione. Una differenza di potenziale della corretta polarità applicata tra i terminali gate e source aumenta la resistenza al flusso di corrente, il che significa che nel canale tra i terminali source e drain passa meno corrente. Grazie alla carica che attraversa il canale semiconduttivo tra i terminali source e drain, i JFET non hanno bisogno di una corrente di polarizzazione.

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