JFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)	Drain di corrente (Id) - Max	Tensione - Soglia (VGS off) a Id	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Resistenza - RDSon	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
MMBF4393LT1G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	1’838 In magazzino	1 : Fr. 0.35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07602 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF a 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ112 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	10’771 In magazzino	1 : Fr. 0.36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07898 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ177LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	82’544 In magazzino	1 : Fr. 0.40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.08853 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
TF412ST5G JFET N-CH 30V 10MA SOT883 onsemi	1’955 In magazzino	1 : Fr. 0.40000 Nastro pre-tagliato (CT) 8’000 : Fr. 0.07814 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	1.2 mA @ 10 V	10 mA	180 mV @ 1 µA	4pF a 10V	-	100 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	3-XFDFN	SOT-883 (XDFN3) (1x0,6)
MMBFU310LT1G JFET N-CH 25V SOT23-3 onsemi	1’781 In magazzino	1 : Fr. 0.40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.08853 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	25 V	25 V	24 mA @ 10 V	-	2.5 V @ 1 nA	5pF a 10V (VGS)	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ201 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	63’509 In magazzino	1 : Fr. 0.42000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.09447 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	200 µA @ 20 V	-	300 mV @ 10 nA	-	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK932-23-TB-E JFET N-CH 50MA SMCP onsemi	2’544 In magazzino	1 : Fr. 0.51000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.11816 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	-	15 V	10 mA @ 5 V	50 mA	200 mV @ 100 µA	-	-	200 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMCP
MMBF4117 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	10’146 In magazzino	1 : Fr. 0.52000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.11871 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	30 µA @ 10 V	-	600 mV @ 1 nA	3pF a 10V	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ270 JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	38’253 In magazzino	1 : Fr. 0.54000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.12609 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 nA	-	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK3557-6-TB-E JFET N-CH 5V 3CP onsemi	1’129 In magazzino	1 : Fr. 0.56000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.12941 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	15 V	15 V	20 mA @ 5 V	50 mA	1.5 V @ 100 µA	10pF a 5V	-	200 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CP
2SK209-GR(TE85L,F) JFET N-CH 50V 14MA SC59 Toshiba Semiconductor and Storage	2’096 In magazzino	1 : Fr. 0.57000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.12968 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	14 mA @ 10 V	14 mA	1.5 V @ 100 nA	13pF a 10V	-	150 mW	125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59
2SK880GRTE85LF JFET N-CH 50V SC70 Toshiba Semiconductor and Storage	12’405 In magazzino	1 : Fr. 0.67000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.15513 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	2.6 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	SC-70
2SK2145-BL(TE85L,F JFET 2N-CH SMV Toshiba Semiconductor and Storage	1’165 In magazzino	1 : Fr. 0.83000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.19932 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	2 canali N (doppio)	-	-	6 mA @ 10 V	-	200 mV @ 100 nA	13pF a 10V	-	300 mW	125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SMV
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	6’859 In magazzino	1 : Fr. 3.03000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF a 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	1’109 In magazzino	1 : Fr. 3.25000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF a 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
JFE2140DR JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC Texas Instruments	2’975 In magazzino	1 : Fr. 3.65000 Nastro pre-tagliato (CT) 2’500 : Fr. 2.01314 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	2 canali N (doppio)	40 V	40 V	-	50 mA	1.5 V @ 0.1 µA	13pF a 5V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
JFE2140DSGR DUAL, ULTRA-LOW NOISE, LOW-GATE- Texas Instruments	2’518 In magazzino	1 : Fr. 4.75000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 1.85300 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	-	-	1.5 V @ 100 nA	17pF a 0V	-	-	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-WFDFN piazzola esposta	8-WSON (2x2)
UF3N170400B7S JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7 onsemi	3’245 In magazzino	1 : Fr. 8.46000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : Fr. 3.97913 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	1700 V	1700 V	2.2 µA @ 1700 V	6.8 A	-	225pF a 100V	500 mOhms	68 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N120035K3S JFET N-CH 1200V 63A TO247-3 onsemi	3’763 In magazzino 1’800 Fabbrica	1 : Fr. 26.93000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF a 100V	45 mOhms	429 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
SMMBFJ177LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	12’810 In magazzino	1 : Fr. 0.22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.09143 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
SMMBFJ175LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	4’230 In magazzino 3’000 Fabbrica	1 : Fr. 0.22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.09143 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	125 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF4393LT3G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	7’524 In magazzino	1 : Fr. 0.35000 Nastro pre-tagliato (CT) 10’000 : Fr. 0.06442 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF a 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
BSR58 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	2’971 In magazzino	1 : Fr. 0.35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07590 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	-	60 Ohms	250 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ202 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	14’004 In magazzino	1 : Fr. 0.35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07673 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	900 µA @ 20 V	-	800 mV @ 10 nA	-	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	40’071 In magazzino	1 : Fr. 0.36000 Nastro pre-tagliato (CT) 2’000 : Fr. 0.08427 Nastrato in scatola (TB)	-	Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3

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I transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) sono dispositivi utilizzati come interruttori a controllo elettronico, amplificatori o resistori controllati in tensione. Una differenza di potenziale della corretta polarità applicata tra i terminali gate e source aumenta la resistenza al flusso di corrente, il che significa che nel canale tra i terminali source e drain passa meno corrente. Grazie alla carica che attraversa il canale semiconduttivo tra i terminali source e drain, i JFET non hanno bisogno di una corrente di polarizzazione.

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