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DRAM con codice di correzione degli errori (ECC) su chip
Data di pubblicazione: 2025-03-10
Le DRAM con codice di correzione degli errori (ECC) su chip di ISSI permettono di semplificare la progettazione del sistema, risparmiare potenza e ridurre l'ingombro della memoria sulla scheda.
I dispositivi Flash Serial NAND di ISSI offrono soluzioni compatibili SPI ad alta densità con supporto x1, x2 e x4, ideali per le applicazioni automotive e industriali.
ISSI's brochure for their low pin count RAM solutions.
Soluzioni di RAM seriale e quadrupla
Data di pubblicazione: 2024-04-04
La RAM seriale e la RAM quadrupla di ISSI offrono soluzioni RAM a bassa densità dei pin, ideali per applicazioni mediche e indossabili.
ISSI's brochure for their serial and quad RAM products.
Today, ISSI offers 3.3V SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, as well as Low Power SDRAM, LPDDR and LPDDR2 DRAM.
ISSI's automotive memory solutions.
DRAM legacy con DDR3
Data di pubblicazione: 2023-10-12
Le opzioni di DRAM DDR3 di ISSI sono disponibili in densità da 1 Gb a 16 Gb con supporto a lungo termine.
ISSI eMMC NAND Flash Memory offers unparalleled performance and endurance, including an enhanced mode that allows configuration as a pseudo-SLC.
Soluzioni di memoria ottale
Data di pubblicazione: 2023-04-13
I dispositivi Flash e RAM conformi xSPI a bus ottale di ISSI sono destinati ad applicazioni ad alte prestazioni ad accensione istantanea.
Memoria Flash NAND eMMC
Data di pubblicazione: 2023-03-15
I dispositivi di memoria Flash NAND eMMC di ISSI supportano una modalità avanzata in cui il dispositivo può essere configurato come pseudo SLC (pSLC) per ottenere prestazioni di lettura/scrittura superiori.
ISSI introduces its new Family of IS25LP and IS25WP/WJ series of flash devices. The family builds upon the success of ISSI’s IS25LQ and IS25WQ family by introducing leading edge features such as double data rate* interface modes, SFDP support, and the popular 2 cycle instruction input.
The ISSI LPDDR4 and LPDDR4X are low-voltage memory devices available in 2, 4, and 8 gigabit densities. The devices are organized as one or two channels per device where each channel is eight banks and 16-bits.
I progettisti possono implementare rapidamente il monitoraggio della presenza utilizzando un kit drop-in basato su un algoritmo proprietario che si esegue su un processore di segnali digitali a bassa potenza.
Un processore specializzato e una libreria software offrono un'alternativa più semplice e sicura per l'autenticazione basata sul volto.
SDRAM mobile LPDDR4/4X di ISSI
Data di pubblicazione: 2020-08-14
I dispositivi SDRAM mobile LPDDR4/4X di ISSI utilizzano un'architettura a doppia velocità dati per ottenere operazioni ad alta velocità e sono disponibili con densità di 2 Gb, 4 Gb e 8 Gb.
Utilizzare RISC-V per personalizzare il set di istruzioni e l'hardware e ottenere il profilo energetico ottimale per un sistema embedded.
Capire i fondamenti della memoria embedded - EEPROM, FeRAM, eMMC, schede SD - per sapere quale usare, dove e come.
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