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I FET GaN a canale N di Central Semiconductor sono progettati per applicazioni ad alta frequenza con standard di efficienza elevati.

I FET a canale N GaN di Central Semiconductor sono ideali per gli inverter per veicoli elettrici e per le applicazioni di ricarica wireless ad alta potenza.

I diodi Schottky CFSH01-30L di Central Semiconductor sono progettati per le applicazioni in cui le dimensioni ultra-ridotte e la bassa tensione in avanti sono requisiti di progettazione.

La serie CMJD di diodi limitatori di corrente di Central Semiconductor è fornita in un contenitore DFN123F a profilo ribassato e mantiene una corrente costante in un ampio intervallo di tensione.

I raddrizzatori Schottky CMDFSHCx-100 di Central Semiconductor sono ideali per la protezione dall'inversione di polarità, i convertitori boost e le applicazioni di raddrizzamento generale.
Vantaggi dei MOSFET per la commutazione logica e a piccolo segnale rispetto ad altre tecnologie a transistor tradizionali.

I raddrizzatori a ponte Schottky di Central Semiconductor sono progettati per dispositivi più piccoli e a profilo più ribassato.

CMSD2004S e CMSD2005S di Central Semiconductors sono due diodi di commutazione in silicio in serie fabbricati con un processo planare epitassiale.

Le serie di diodi Zener CMOZ2V4 e CMOZ1L8 di Central Semiconductor sono regolatori di tensione di alta qualità in contenitore ULTRAmini™ SOD-523 stampato in resina epossidica.

CSICD05-1200 e CSICD10-1200 di Central Semiconductor sono raddrizzatori Schottky al carburo di silicio a 1200 V per sistemi ad alta frequenza in cui l'efficienza energetica e le prestazioni termiche sono parametri di progettazione critici per ambienti estremi.

Central Semiconductor's CDM2206-800LR is an 800 V N-Channel MOSFET designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting, and power inverters.