Allegro MicroSystems

Driver FET GaN isolato a un canale ad alimentazione autonoma AHV85111

Il driver di Allegro è dotato di un'uscita bipolare regolata che semplifica la progettazione del sistema e riduce le EMI.

Image of Allegro's AHV85111 Self-Powered Single-Channel Isolated GaN FET DriverIl gate driver isolato AHV85111 di Allegro è ottimizzato per il pilotaggio di FET GaN in diverse applicazioni e topologie. Nel driver è integrata una doppia alimentazione di polarizzazione di uscita positiva/negativa isolata, che elimina la necessità di un'alimentazione di polarizzazione ausiliaria esterna di gate driver o di un bootstrap high-side. Il rail di uscita bipolare, con rail positivo regolabile e regolato, migliora l'immunità dv/dt, semplifica notevolmente la progettazione del sistema e riduce le EMI grazie alla capacità totale di modo comune (CM) ridotta. Il dispositivo consente inoltre di pilotare un interruttore a galleggiante in qualsiasi posizione della topologia di potenza di commutazione.

Il driver ha un rapido ritardo di propagazione e un'elevata capacità di picco source/drain per pilotare in modo efficiente i FET GaN nei progetti ad alta frequenza. L'elevato CMTI e le uscite isolate per l'alimentazione di polarizzazione e il pilotaggio rendono il driver ideale per le applicazioni che richiedono isolamento, spostamento di livello o separazione da terra per l'immunità al rumore.

Il dispositivo è disponibile in un contenitore compatto a profilo ribassato per il montaggio superficiale NH. La protezione integrata comprende il blocco di sottotensione (UVLO) sui rail di polarizzazione primario e secondario, un pull-down interno sul pin IN e sul pin OUTPD, un ingresso di abilitazione a risposta rapida, lo spegnimento per sovratemperatura e la sincronizzazione dell'impulso OUT con il primo fronte di salita IN dopo l'abilitazione (evitando impulsi runt asincroni).

Caratteristiche
  • Barriera di isolamento del trasformatore
  • Polarizzazione isolata integrata Power-through
  • Non è necessario un bootstrap high-side
  • Non è necessario una polarizzazione esterna sul lato secondario
  • Qualificato AEC-Q100 grado 2
  • Uscita di pilotaggio bipolare con rail positivo regolato regolabile
  • Uscita di polarizzazione a 3,3 VREF incorporata sul lato primario
  • Ritardo di propagazione: 50 ns
  • Tensione di alimentazione: 10,8 V < VDRV < 13,2 V
  • Pin di abilitazione con risposta rapida
 
  • UVLO sul VDRV primario e sul VSEC secondario
  • Capacità ON continua: non è necessario riciclare IN o ricaricare il condensatore bootstrap
  • CMTI: >100 V/ns di immunità dv/dt
  • Distanza di isolamento superficiale: 8,4 mm
  • Approvazioni normative di sicurezza:
    • 5 kVRMS VISO secondo UL 1577
    • Tensione di isolamento da transitori: 8 kV pk VIOTM (max.)
    • Tensione di isolamento di lavoro: 1 kV pk (max.)
Applicazioni
  • Convertitori c.a./c.c. e c.c./c.c.: PFC totem-pole, ponte intero/semiponte LLC, azionamenti SR, convertitori multilivello e ponte intero a variazione di fase
  • Automotive: caricabatterie per EV e OBC
  • Industriale: data center, trasporti, robotica, audio e motori
  • Energia pulita: micro, stringhe e inverter solari

AHV85111 Self-Powered Single-Channel Isolated GaN FET Drivers

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
DG ISO 5KV 1CH GATE DVR 12SMDAHV85111KNHTRDG ISO 5KV 1CH GATE DVR 12SMD5426 - Immediatamente$4.90Vedi i dettagli
DG ISO 5KV 1CH GATE DVR 12SMDAHV85111KNHLUDG ISO 5KV 1CH GATE DVR 12SMD0 - Immediatamente$12.56Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2023-11-15

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