Driver GaN a semiponte da 100 V LT8418
Il driver GaN a semiponte da 100 V LT8418 di Analog Devices è dotato di un commutatore bootstrap integrato intelligente
LT8418 di ADI è un driver GaN a semiponte da 100 V che integra stadi driver superiori e inferiori, controllo logico del driver e protezioni. Può essere configurato in topologie sincrone a semiponte e a ponte intero o in topologie buck, boost e buck/boost. LT8418 offre una forte capacità di erogazione/assorbimento di corrente con una resistenza pull-up di 0,6 Ω e pull-down di 0,2 Ω. Integra un commutatore bootstrap integrato intelligente per generare una tensione di bootstrap bilanciata da VCC con una tensione di diseccitazione minima.
LT8418 fornisce gate driver divisi per regolare le velocità di variazione di accensione e spegnimento dei FET GaN per sopprimere la sovraoscillazione e ottimizzare le prestazioni EMI. Tutti gli ingressi e le uscite del driver hanno uno stato basso predefinito per evitare che i FET GaN vengano attivati erroneamente. Gli ingressi INT e INB di LT8418 sono indipendenti e compatibili con la logica TTL. LT8418 ha un ritardo di propagazione rapido di 10 ns e mantiene un'eccellente corrispondenza del ritardo di 1,5 ns tra i canali superiore e inferiore, pertanto è adatto a convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, driver per motori e amplificatori audio in classe D. Inoltre LT8418 utilizza il contenitore WLCSP per ridurre al minimo l'induttanza parassita, consentendo un ampio utilizzo in applicazioni ad alte prestazioni e alta densità di potenza.
Il circuito di valutazione EVAL-LT8418-BZ comprende LT8418 che pilota due FET al nitruro di gallio potenziato (eGaN) da 100 V in una configurazione a semiponte. Il circuito è ottimizzato come convertitore buck, ma può essere utilizzato come convertitore boost o altre topologie di convertitori costituiti da un semiponte. Il circuito di valutazione può erogare fino a 10 A con una buona gestione termica.
- Gate driver a semiponte per FET GaN
- Resistenza di pull-up sul gate driver superiore 0,6 Ω
- Resistenza di pull-down sul gate driver inferiore 0,2 Ω
- Capacità di corrente di source di picco 4 A, di drain di picco 8 A
- Commutatore di bootstrap integrato intelligente
- Gate driver diviso per regolare la forza di accensione e spegnimento
- Stato basso predefinito per tutti gli ingressi e le uscite del driver
- Tensione massima di 15 V agli ingressi INT e INB
- Ingressi INT e INB indipendenti con logica TTL compatibile
- Ritardo di propagazione rapido: 10 ns (tip.)
- Corrispondenza del ritardo di propagazione: 1,5 ns (tip.)
- Tensione di alimentazione driver bilanciato: VBST ≈ VCC = da 3,85 V a 5,5 V
- Protezioni con blocco di sottotensione e sovratensione
- Piccolo contenitore WLCSP a 12 sfere
LT8418 100 V Half-Bridge GaN Driver
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
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![]() | ![]() | LT8418ACBZ-R7 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP | 4558 - Immediatamente | $4.51 | Vedi i dettagli |
Evaluation Board
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
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![]() | ![]() | EVAL-LT8418-BZ | EVAL BOARD FOR LT8418 | 23 - Immediatamente | $118.54 | Vedi i dettagli |





