Transistor NPN e PNP DFN0606

Occupando uno spazio su scheda di soli 0,36 mm², i transistor DFN0606 di Diodes sono del 40% più piccoli rispetto ai componenti DFN1006 con cui competono direttamente (SOT883) e offrono prestazioni elettriche di pari livello, se non migliori. Con un'altezza sporgente dalla scheda di soli 0,4 mm, sono la soluzione ideale per la tecnologia da indossare, come orologi smart, dispositivi di fitness e salute, così come altri prodotti di consumo con vincoli di spazio quali smartphone e tablet.

L'offerta iniziale di transistor bipolari DFN0606 di Diodes è costituita da due dispositivi NPN e PNP con capacità di gestione della dissipazione di potenza anche fino a 830 mW. A 40 V nominali, MMBT3904FZ e MMBT3906FZ potenziano significativamente la densità di potenza e offrono inoltre una corrente di collettore elevata di 200 mA; mentre a 45 V nominali, BC847BFZ e BC857BFZ forniscono una corrente di collettore di 100 mA. Tutti i dispositivi commutano a una tensione emettitore di base inferiore a 1 V, che ne consente l'attivazione totale in condizioni di potenza portatile molto bassa.

Caratteristiche

• Ingombro di 0,36 mm² e altezza fuori scheda di 0,4 mm - il fattore di forma compatto consente di ridurre lo spazio sulla PCB, pur offrendo prestazioni migliori rispetto ai transistor equivalente in contenitori molto più grandi
• Maggiore densità di potenza - il contenitore senza conduttori DFN0606 ha un profilo termico efficiente con una resistenza termica di soli 135 °C/W per consentire una maggiore densità di potenza
• Attivazione VBE <1 V - BJT abilita la commutazione di applicazioni a bassa tensione a meno di 1 V adatto per l'attivazione di applicazioni portatili in condizioni di bassa potenza