Transistor bipolari serie DXTN/P 78Q e 80Q

Transistor bipolari NPN e PNP a norma automotive e a bassissima VCE(sat) della serie DXTN/P 78Q e 80Q di Diodes Incorporated.

I dodici dispositivi, che coprono valori nominali di 30 V, 60 V e 100 V, offrono efficienza di conduzione e prestazioni termiche eccellenti per la commutazione e il controllo di potenza nel settore automotive.

Adatti per sistemi a 12 V, 24 V e 48 V, supportano applicazioni quali il pilotaggio di gate MOSFET e IGBT, la commutazione del carico, la regolazione LDO, la conversione c.c./c.c. e il controllo di motori e attuatori. Con una temperatura di +175 °C e un'elevata resistenza ESD (HBM: 4 kV; CDM: 1 kV), garantiscono un funzionamento affidabile negli ambienti difficili.

Il contenitore compatto PowerDI®3333-8 (3,3 mm x 3,3 mm) riduce l'ingombro su PCB fino al 75% rispetto al SOT223 e offre una resistenza termica bassissima (4,2 °C/W).

La tecnologia SWP (Side-Wall Plateable) migliora la visibilità AOI e la resistenza dei giunti di saldatura per una produzione efficiente e affidabile.

Con BVCEO fino a 100 V, corrente continua fino a 10 A (picco di 20 A) e tensione di saturazione di appena 17 mV, questi transistor riducono al minimo le perdite di conduzione fino al 50%, consentendo progetti più efficienti e a una temperatura inferiore.