EPC

FET GaN EPC2057 da 50 V e 8,5 mΩ

Il transistor EPC ha una bassissima resistenza nello stato On di 8,5 mΩ che riduce significativamente la perdita di potenza e migliora l'efficienza complessiva

Immagine del FET GaN EPC2057 da 50 V e 8,5 mΩ di EPCIl transistor a effetto di campo (FET) GaN EPC2057 a corrente pulsata da 50 V e 66 A di EPC è stato progettato specificamente per soddisfare le esigenze in evoluzione dei dispositivi USB-C® ad alta potenza, compresi quelli utilizzati nei prodotti elettronici consumer, nella ricarica delle batterie per auto e nella eMobility. Il transistor è dotato di una bassissima resistenza nello stato On di 8,5 mΩ che riduce significativamente le perdite di potenza e migliora l'efficienza complessiva. Il suo minimo ingombro lo rende ideale per le applicazioni con vincoli di spazio e consente di utilizzare adattatori di alimentazione e caricabatterie più piccoli ed efficienti.

Caratteristiche
  • Alta efficienza
    • Dispone di una bassissima resistenza nello stato On di 8,5 mΩ che riduce significativamente la perdita di potenza e migliora l'efficienza complessiva
  • Design compatto
    • Il minimo ingombro lo rende ideale per le applicazioni con vincoli di spazio e consente di utilizzare adattatori di alimentazione e caricabatterie più piccoli ed efficienti
  • Commutazione rapida
    • La tecnologia GaN consente velocità di commutazione più elevate, migliorando la densità di potenza e riducendo le dimensioni dei componenti passivi, per ottenere design più compatti e leggeri
  • ID: 9,6 A
  • VDS: 50 V
  • RDS(on): 8,5 mΩ max
Applicazioni
  • Convertitori c.c./c.c.
  • Data center
  • Server di intelligenza artificiale
  • Caricabatterie USB-C
  • Illuminazione a LED
  • Comandi motore con ingresso da 12 ~ 24 V

EPC2057 50 V, 8.5 mΩ GaN FET

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
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Data di pubblicazione: 2024-07-01

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