FET GaN a 40 V, 2,25 mΩ EPC2069

I FET GaN di EPC sono ideali per le applicazioni che richiedono prestazioni ad alta densità di potenza

Immagine del FET GaN da 40 V, 2,25 mΩ EPC2069 di EPCIl FET GaN a 40 V, 2,25 mΩ, 422 A di corrente impulsiva EPC2069 di EPC offre un dispositivo significativamente più piccolo ed efficiente rispetto ai MOSFET al silicio per applicazioni con vincoli di spazio ad alte prestazioni. Questo FET GaN è ideale per applicazioni con requisiti severi in termini di prestazioni di alta densità di potenza, quali server con ingresso da 48 V a 54 V. Le basse cariche del gate e le zero perdite di recupero inverso consentono il funzionamento ad alta frequenza di 1 MHz e oltre, in un minuscolo ingombro di 10,6 mm² per una densità di potenza allo stato dell'arte. EPC2069 è in grado di supportare soluzioni da 48 V a 12 Vc.c./c.c. che vanno da 500 W a 2 kW e che superano il 98% di efficienza. L'uso di dispositivi eGaN su entrambi i lati primario e secondario è necessario per ottenere una densità di potenza massima >244 W/cm³.

Applicazioni
  • Conversione c.c./c.c. a 48 V
    • Data center
    • Server di intelligenza artificiale
  • Raddrizzamento sincrono per c.a./c.c. e c.c./c.c.
  • LiDAR/potenza impulsiva
  • Audio in classe D
  • Illuminazione a LED
  • Comandi di motori BLDC
    • Biciclette elettriche
    • Scooter elettrici
    • Robotica
    • Droni
    • Utensili elettrici

EPC2069 40 V, 2.25 mΩ GaN FET

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Half-Bridge Development Board

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Data di pubblicazione: 2024-12-10