Il FET GaN a 40 V, 2,25 mΩ, 422 A di corrente impulsiva EPC2069 di EPC offre un dispositivo significativamente più piccolo ed efficiente rispetto ai MOSFET al silicio per applicazioni con vincoli di spazio ad alte prestazioni. Questo FET GaN è ideale per applicazioni con requisiti severi in termini di prestazioni di alta densità di potenza, quali server con ingresso da 48 V a 54 V. Le basse cariche del gate e le zero perdite di recupero inverso consentono il funzionamento ad alta frequenza di 1 MHz e oltre, in un minuscolo ingombro di 10,6 mm² per una densità di potenza allo stato dell'arte. EPC2069 è in grado di supportare soluzioni da 48 V a 12 Vc.c./c.c. che vanno da 500 W a 2 kW e che superano il 98% di efficienza. L'uso di dispositivi eGaN su entrambi i lati primario e secondario è necessario per ottenere una densità di potenza massima >244 W/cm³.
Applicazioni
- Conversione c.c./c.c. a 48 V
- Data center
- Server di intelligenza artificiale
- Raddrizzamento sincrono per c.a./c.c. e c.c./c.c.
- LiDAR/potenza impulsiva
- Audio in classe D
- Illuminazione a LED
- Comandi di motori BLDC
- Biciclette elettriche
- Scooter elettrici
- Robotica
- Droni
- Utensili elettrici