Semiponte transistor eGaN 30 V EPC2111
Il semiponte transistor di potenza GaN in modalità potenziata EPC2111 di EPC aumenta sia l'efficienza che la densità di potenza
Il semiponte eGaN a 30 V EPC2111 di EPC integra due FET di potenza eGaN in un singolo dispositivo aumentando sia l'efficienza che la densità di potenza, al contempo riducendo i costi di assemblaggio per i sistemi di conversione di potenza dell'utente finale. EPC2111 viene fornito in un contenitore CSP per velocità di commutazione e prestazioni termiche migliori e misura solo 3,5 x 1,5 mm per una maggiore densità di potenza. Un'applicazione principale per questo dispositivo è per notebook e tablet. La capacità ad alta frequenza del GaN riduce le dimensioni richieste per la conversione di potenza e quindi determinerà riduzioni significative delle dimensioni del mobile computing di prossima generazione.
- Capacità di alta frequenza
- L'integrazione monolitica elimina le induttanze di interconnessione per una maggiore efficienza a una frequenza superiore
- Elevata efficienza
- Conduzione e perdite di commutazione inferiori, zero perdite di recupero inverso
- Ingombro compatto
- Die passivato a bassa induttanza, molto piccolo, per montaggio superficiale BGA di 3,5 x 1,55 mm
- Conversione di potenza c.c./c.c. ad alta frequenza
- Notebook e tablet
EPC2111 30 V eGaN® Transistor Half-Bridge
Immagine | Codice produttore | Descrizione | Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | RDSon (max) a Id, Vgs | Vgs(th) max a Id | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
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![]() | ![]() | EPC2111 | MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE | 16 A (Ta) | 19mohm a 15A, 5V, 8mohm a 15A, 5V | 2,5V a 2mA, 2,5V a 5mA | 18182 - Immediatamente | $3.47 | Vedi i dettagli |
Evaluation Boards
Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
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![]() | ![]() | EPC9086 | EVAL BOARD FOR EPC2111 | 19 - Immediatamente | $158.14 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | EPC9204 | EVAL BOARD FOR EPC2111 | 0 - Immediatamente | $104.65 | Vedi i dettagli |