FET qualificati AEC-Q101 chip-scale GaN EPC2202/EPC2203

I FET qualificati AEC-Q101 di EPC sono progettati per applicazioni automotive

Immagine dei FET qualificati AEC-Q101 chip-scale GaN EPC2202/EPC2203 di EPCLa qualifica AEC-Q101 di EPC significa che l'elettronica automotive può ora sfruttare appieno la migliore efficienza, la migliore velocità, la maggiore compattezza e il costo inferiore dei dispositivi eGaN®.

EPC2202 è un FET eGaN da 80 V, 16 mΩ con una corrente impulsiva nominale di 75 A in un contenitore chip-scale di 2,1 x 1,6 mm. EPC2203 è un FET eGaN da 80 V, 73 mΩ con una corrente impulsiva nominale di 18 A in un contenitore chip-scale di 0,9 x 0,9 mm.

Caratteristiche Applicazioni
  • Capacità di alta frequenza:
    • Maggiore frequenza di commutazione: perdite di commutazione inferiori, potenza di pilotaggio inferiore
    • Maggiore efficienza: conduzione e perdite di commutazione inferiori, zero perdite di recupero inverso
  • Piccolo ingombro: contenitore CSP estremamente compatto a bassa induttanza
  • LiDAR
  • Fari ad alta intensità
  • Convertitori c.c./c.c. 48 W ~ 12 W
  • Sistemi di infotainment ad altissima fedeltà

EPC2202/EPC2203 GaN Chip-Scale AEC-Q101 Qualified FETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneRDSon (max) a Id, VgsCarica del gate (Qg) max a VgsQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
GANFET N-CH 80V 18A DIEEPC2202GANFET N-CH 80V 18A DIE17mohm a 11A, 5V4 nC @ 5 V34335 - Immediatamente$3.08Vedi i dettagli
GANFET N-CH 80V 1.7A DIEEPC2203GANFET N-CH 80V 1.7A DIE80mohm a 1A, 5V0.83 nC @ 5 V24940 - Immediatamente$1.18Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2018-06-15