CI di stadio ePower™ EPC23102

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Caratteristiche salienti dei prodotti > CI di stadio ePower™ EPC23102

            CI di stadio ePower™ EPC23102
                    I circuiti integrati di stadio di potenza EPC sono caratterizzati da una commutazione estremamente rapida e da prestazioni efficienti
    

Immagine del circuito integrato di stadio ePower™ EPC23102 di EPC EPC23102 di EPC integra uno stadio di potenza a semiponte GaN completo, in grado di funzionare fino a 35 A a 1 MHz, il quale offre prestazioni più elevate e una soluzione dalle dimensioni inferiori per le applicazioni ad alta densità di potenza, tra cui la conversione c.c./c.c., i comandi di motori e gli amplificatori audio di classe D.

Caratteristiche

Circuito integrato di stadio di potenza completo che integra FET GaN high-side e low-side, un gate driver interno, un traslatore di livello, una carica bootstrap sincrona e un'interfaccia logica in un contenitore QFN compatto da 3,5 mm x 5 mm
Capacità di corrente e di tensione elevata: corrente di carico fino a 35 A (a 1 MHz) e ingresso massimo di 100 V
Bassa RDS_(ON): 6,6 m per i FET high-side e low-side, per ridurre al minimo le perdite di conduzione
Commutazione estremamente rapida: in grado di funzionare oltre 1 MHz per i convertitori ad alta frequenza
Prestazioni efficienti: massimo rendimento superiore al 96% dimostrato in un convertitore buck da 48 ~ 12 V a 1 MHz, con un carico continuo di 8 ~ 17 A