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FET GaN in contenitori PQFN
I FET GaN di EPC offrono prestazioni eccezionali in ingombri compatti, ideali per la conversione di potenza ad alta densità
I FET al nitruro di gallio (GaN) nei contenitori PQFN di EPC offrono prestazioni eccezionali in ingombri compatti, ideali per la conversione di potenza ad alta densità. Questi dispositivi offrono una bassissima resistenza nello stato On, una bassa carica del gate e perdite di commutazione minime, che consentono una maggiore efficienza e velocità di commutazione rispetto ai tradizionali MOSFET al silicio.
Con tensioni nominali fino a 200 V e capacità di corrente pulsata superiore a 400 A in alcune parti, questi FET GaN sono perfetti per le applicazioni più esigenti come i comandi motore, la robotica e l'informatica ad alte prestazioni.
Caratteristiche
- Economici
- Prestazioni superiori rispetto a un MOSFET
- Più veloci
- Più piccoli
- Corrente più alta
- Facilità d'uso
- La compatibilità dell'ingombro massimizza la flessibilità di progettazione
- Capacità termiche eccellenti
- Lato superiore esposto
- Bassissima resistenza termica
Applicazioni
- Caricatori c.a./c.c.
- Convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza
- Comandi di motori
- MPPT solare
- Audio in classe D
GaN FETs in PQFN Packages
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Tipo FET | Tecnologia | Tensione drain/source (Vdss) | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2367 | TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 0 - Immediatamente | $5.51 | Vedi i dettagli |
|  | EPC2302 | TRANS GAN 100V DIE .0018OHM | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 80506 - Immediatamente | $6.42 | Vedi i dettagli |
|  | EPC2304 | TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 200 V | 0 - Immediatamente | $6.76 | Vedi i dettagli |
|  | EPC2305 | TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 150 V | 18706 - Immediatamente | $6.59 | Vedi i dettagli |
|  | EPC2306 | TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 25771 - Immediatamente | $4.07 | Vedi i dettagli |
|  | EPC2307 | TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 200 V | 5849 - Immediatamente | $4.07 | Vedi i dettagli |
|  | EPC2308 | TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 150 V | 9044 - Immediatamente | $4.18 | Vedi i dettagli |
Evaluation Boards
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EPC90140 | EVAL BOARD FOR EPC2304 | 67 - Immediatamente | $158.14 | Vedi i dettagli |
|  | EPC90143 | EVAL BOARD FOR EPC2305 | 24 - Immediatamente | $158.14 | Vedi i dettagli |
|  | EPC90145 | EVAL BOARD FOR EPC2306 | 5 - Immediatamente | $160.00 | Vedi i dettagli |
|  | EPC90150 | EVAL BOARD FOR EPC2307 | 41 - Immediatamente | $158.14 | Vedi i dettagli |
|  | EPC90148 | EVAL BOARD FOR EPC2308 | 32 - Immediatamente | $158.14 | Vedi i dettagli |
|  | EPC90133 | EVAL BOARD FOR EPC2302 | 9 - Immediatamente | $158.14 | Vedi i dettagli |
|  | EPC90164 | BD DEMO 1/2 BRIDGE 100V EPC2367 | 17 - Immediatamente | $158.14 | Vedi i dettagli |
Data di pubblicazione: 2025-04-10
Svizzera