Trasformatori B82804E da 500 V

I trasformatori di pilotaggio del gate compatti della serie EP9 di TDK offrono un isolamento eccezionale, una capacità elettrica di accoppiamento minima e un'elevata resilienza termica

Immagine dei trasformatori B82804E da 500 V di EPCOSI trasformatori B82804E della serie EP9 da 500 V di TDK sono più compatti dell'attuale serie E10EM di trasformatori a montaggio superficiale progettati specificamente per i circuiti gate driver IGBT e FET. Progettati per garantire alte prestazioni nelle applicazioni industriali e di mobilità elettrica esigenti con una tensione di sistema di 500 V, questi componenti offrono un isolamento eccezionale, una capacità elettrica di accoppiamento minima e un'elevata resilienza termica. La serie EP9 sta conducendo una trasformazione ecocompatibile verso un futuro più elettrico e sostenibile.

La serie EP9 è costruita su un nucleo in ferrite MnZn con struttura SMD con pin a L, con un'altezza di soli 11 mm e un ingombro di 13 mm x 11 mm. Questi trasformatori funzionano in un ampio intervallo di temperatura di -40 ~ +150 °C, che garantisce una lunga durata nelle condizioni più estreme. Con una capacità elettrica di accoppiamento di soli 2 pF, conforme allo standard AEC-Q200 Rev. E, e una distanza di isolamento superficiale e distanza di isolamento in aria di almeno 5 mm, questi componenti a montaggio superficiale sono generalmente utilizzati in applicazioni automotive e in altri ambienti difficili.

I trasformatori supportano topologie come i convertitori a semiponte e push-pull con una frequenza operativa tipica di 100 ~ 400 kHz e rapporti spire ottimizzati per applicazioni specifiche. Questi componenti sono disponibili in confezionamento nastrato in bobina, che assicurano facilità di assemblaggio per ambienti con una produzione ad alto volume.

Il kit di campioni B82804X1 contiene sei trasformatori di ciascuna versione.

Caratteristiche
  • Dimensioni: 13 mm x 11 mm x 11 mm (L x P x A)
  • Ampio intervallo di temperatura: -40 ~ +150 °C
  • Capacità di accoppiamento estremamente bassa: 2 pF
  • Caratteristiche di isolamento: distanza di isolamento superficiale e distanza di isolamento in aria ≥ 5 mm (cumulativo, nucleo flottante)
  • Qualificati per AEC-Q200 Rev. E
Applicazioni
  • Trasformatori di pilotaggio del gate IGBT/MOSFET per sistemi di inverter
  • Trasformatori ausiliari per convertitori c.c./c.c.
Data di aggiornamento: 2025-04-29

B82804E 500 V Transformers

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Data di pubblicazione: 2025-03-06