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MOSFET SuperFET® II a canale N a 600 V, 10,2 A, 380 mΩ

MOSFET a supergiunzione ad alta tensione di On Semiconductor con tecnologia di bilanciamento della carica

Immagine del MOSFET SuperFET® II a canale N a 600 V, 10,2 A, 380 mΩ di Fairchild Semiconductor Il MOSFET SuperFET® II a canale N di On Semiconductor® è la prima generazione della famiglia di MOSFET a supergiunzione (SJ) ad alta tensione basata sulla tecnologia di bilanciamento della carica per fornire un'eccellente resistenza nello stato On e carica del gate inferiore. Questa avanzata tecnologia è realizzata su misura per ridurre al minimo le perdite di conduzione, offrire eccellenti prestazioni di commutazione e resistere a valori dV/dt estremi e una maggiore energia a valanga. Pertanto il MOSFET SuperFET® II è adatto alla conversione di potenza c.a./c.c. per la maggiore efficienza e la miniaturizzazione del sistema.

Caratteristiche
  • 650 V at TJ = 150 °C
  • Max RDSon = 380 mΩ
  • Carica del gate ultrabassa (tipico Qg = 34 nC)
  • Capacità di uscita efficace bassa (tipico C0SS. eff = 97 pF)
  • Testato a valanga al 100%
Applicazioni
  • Gruppi di continuità
  • TV PDP
  • Server PC
  • Notebook
  • Illuminazione
  • TV LED
  • TV LCD
  • Monitor LCD
  • EMS
  • DVD/set-top box
  • PC desktop
  • Alimentazione elettrica commerciale c.c./c.c.
  • Apparecchi consumer
  • Alimentatore c.a./c.c.

SuperFET II MOSFET

ImmagineCodice produttoreDescrizioneTensione drain/source (Vdss)Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °CQuantità disponibilePrezzo
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3FCPF380N60-F152MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3600 V10,2 A (Tc)0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2013-09-17

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